[發(fā)明專利]一種8～14GHz波段高效吸波超構(gòu)表面材料

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110561128.5
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113285234B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭少軍;周曉松;鄒春榮;沈同圣;趙德鑫;于化鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民解放軍軍事科學(xué)院國防科技創(chuàng)新研究院
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q17/00;B32B27/28;B32B15/04;B32B33/00
• 代理公司: 中國和平利用軍工技術(shù)協(xié)會專利中心 11215
• 代理人: 劉光德

1.一種8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，所述的超構(gòu)表面材料的結(jié)構(gòu)從上到下依次層疊復(fù)合成一體，其包括五層結(jié)構(gòu)，具體為：第一阻抗膜層、第一介質(zhì)層、第二阻抗膜層、第二介質(zhì)層和金屬反射層，所述的第一阻抗膜層和第二阻抗膜層采用微結(jié)構(gòu)設(shè)計，即在所述的介質(zhì)層上表面形成多個呈周期性排列的陣列單元；

所述的微結(jié)構(gòu)是呈周期性排列的陣列單元，該陣列單元的單元結(jié)構(gòu)周期P＝8x8mm，第一阻抗膜層和第二阻抗膜層的每個單元結(jié)構(gòu)包括：存在阻抗膜材料的膜材料區(qū)，和刻蝕掉膜材料的空隙區(qū)；膜材料區(qū)和空隙區(qū)交錯布置，成為中心對稱圖案構(gòu)型；所述的第一阻抗膜層和第二阻抗膜層是PI膜。

2.如權(quán)利要求1所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，所述的第一阻抗膜層和第二阻抗膜層是阻抗為95Ω/sq的PI膜，厚度為50±0.1um。

3.如權(quán)利要求2所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，第一阻抗膜層陣列單元的每個單元具有一個半徑為0.95mm的中心圓形膜材料區(qū)，中心圓的周邊對稱分布8個膜材料區(qū)塊；以該中心圓的圓心為中心建立平面坐標系，將阻抗膜層分為80×80個子坐標區(qū)域，各個子坐標區(qū)域為膜材料區(qū)或空隙區(qū)，所述的8個膜材料區(qū)塊的面積小于中心圓形。

4.如權(quán)利要求3所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，對稱分布的8個膜材料區(qū)塊分別位于坐標系的0度,45度,90度,135度,180度,225度,270度,315度位置。

5.如權(quán)利要求2所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，第二阻抗膜層的陣列單元的每個單元的中心膜材料區(qū)是菱形形狀，中心的周邊對稱分布4個空隙區(qū)塊；以該菱形中心為原點建立平面坐標系，將阻抗膜層分為80×80個子坐標區(qū)域，各個子坐標區(qū)域為膜材料區(qū)或空隙區(qū)，所述的空隙區(qū)塊內(nèi)為以坐標原點為中心對稱分布，膜材料區(qū)和空隙區(qū)交錯排列的結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，對稱分布的4個空隙區(qū)塊分別位于坐標系的45度,135度,225度,315度位置。

7.如權(quán)利要求6所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，第二阻抗膜層的每個單元的膜材料區(qū)的面積大于第一阻抗膜層的膜材料區(qū)的面積。

8.如權(quán)利要求1所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，所述的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的介電材料的厚度為3.5mm，該介電材料介電常數(shù)為3.1，損耗角正切為0.005。

9.如權(quán)利要求1所述的8～14GHz波段的高效吸波超構(gòu)表面材料，其特征在于，所述的第一和第二阻抗膜層的加工采用激光刻蝕加工，沿著結(jié)構(gòu)邊界進行切割以實現(xiàn)膜材料區(qū)/空隙區(qū)交錯的阻抗膜結(jié)構(gòu)圖案。