[發(fā)明專利]一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路

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• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113114200A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 李可;董軍揮;馮海友;朱威楨
• 申請（專利權(quán)）人: 中惠醫(yī)療科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11833
• 代理人: 尹均利

1.一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，包括調(diào)壓電路與信號生成電路、與調(diào)壓電路和信號生成電路電連接的半橋諧振模塊、與半橋諧振模塊電連接的功率監(jiān)測模塊以及通過輸出電路與功率監(jiān)測模塊電連接的超聲換能片，其特征在于，所述功率監(jiān)測模塊設置在半橋諧振模塊與超聲換能片之間，所述功率監(jiān)測模塊還包括：

雙定向耦合器，所述雙定向耦合器用于獲取超聲換能片兩端的正向傳輸信號與反射功率信號；

功率檢波器，所述功率檢波器用于整合正向傳輸信號與反射功率信號得到功率信號；

AD采樣電路，所述AD采樣電路用于采集輸出電路的正向傳輸信號和反射功率信號；

通過所述正向傳輸信號和反射功率信號得到超聲驅(qū)動電路的電壓駐波比。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述半橋諧振模塊包括：MOSFET與LC諧振；

所述MOSFET包括：上MOSFET與下MOSFET，其中，所述上MOSFET源極與所述下MOSFET漏極并聯(lián)并與LC諧振電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述上MOSFET的漏極與電壓輸入相接并由其作為基準電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述半橋諧振模塊還包括包括MOSFET驅(qū)動器；

所述驅(qū)動器用于調(diào)節(jié)MOSFET，所述MOSFET調(diào)節(jié)后呈現(xiàn)一個處于開通狀態(tài)，而另一個處于關(guān)斷狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述信號生成電路的輸出傳輸至LC諧振的信號為同頻率下幅值調(diào)諧后的方波。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述調(diào)壓電路包括集成穩(wěn)壓電路和差分合成器，且所述調(diào)壓電路的輸入為直流。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述信號生成電路通過FPGA產(chǎn)生特定頻率和延遲的方波。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有功率監(jiān)測的半橋諧振超聲驅(qū)動電路，其特征在于，所述信號生成電路通過方波生成芯片產(chǎn)生方波。