[發明專利]防止因過擦除造成讀錯誤的方法、裝置、存儲介質和終端

在審

• 申請號: 202110558999.1
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113409859A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 馮鵬亮;陳緯榮;陳慧;王明
• 申請（專利權）人: 芯天下技術股份有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發明公開了一種防止因過擦除造成讀錯誤的方法、裝置、存儲介質和終端，在接收到擦除暫停指令時，立即響應擦除暫停指令中斷擦除指令退出，滿足指令響應的時間要求，在響應擦除中斷的同時啟動負電荷泵；在擦除暫停期間如果接收到讀操作指令，通過負電荷泵對芯片內不需要執行讀操作的存儲單元施加負電壓，通過正電荷泵對芯片內需要進行讀操作的存儲單元施加正電壓，這樣不但可以避免由于過擦除單元的存在導致讀數據出錯的問題，還可以保證讀指令的響應時間要求。

技術領域

本發明涉及flash技術領域，尤其涉及的是一種防止因過擦除造成讀錯誤的方法、裝置、存儲介質和終端。

背景技術

在NOR FLASH在擦除陣列A(Array A)內的扇區A(sector A)過程中，如果接收到暫停指令(erase suspend command)，若此時內部算法流程正在處于擦除的步驟（如圖1所示），還沒有到修復“過擦除”單元的步驟就暫停(即分支2)，那么在擦除暫停期間如果讀取同一個陣列A（Array A）內的另一個扇區B（sectorB）的數據時可能會出錯，讀出的數據是一個隨機值(取決于扇區A中“過擦除”單元的數量和分布，因為“過擦除”單元的閾值電壓一般為負值，在讀取扇區B的數據時，若扇區B中存在“過擦除”單元，0v不能使“過擦除”單元關閉，“過擦除”單元會產生電流，導致讀數據出錯，如圖2所示)。

為避免上述的問題，現有的做法是：在收到擦除暫停指令后，先執行過擦除修復之后再響應用戶暫停擦除指令，以此來消除“過擦除”單元對其他sector的讀數據錯誤（如圖3所示），然而過擦除修復往往需要比較久的時間，無法滿足用戶對擦除暫停的響應的時間要求（Tsus）。

因此，現有的技術還有待于改進和發展。

發明內容

本發明的目的在于提供一種防止因過擦除造成讀錯誤的方法、裝置、存儲介質和終端，旨在解決現有技術不能同時兼顧在NOR FLASH接收到擦除暫停指令后快速執行響應的時間要求和避免暫停期間過擦除造成讀錯誤的問題。

本發明的技術方案如下：本技術方案提供一種防止因過擦除造成讀錯誤的方法，具體包括以下步驟：

接收擦除暫停指令；

響應所述擦除暫停指令中斷擦除指令退出；

接收讀操作指令；

根據所述讀操作指令對芯片內不需要執行讀操作的存儲單元施加負電壓，對芯片內需要進行讀操作的存儲單元施加正電壓。

本技術方案中，在接收到擦除暫停指令時，立即響應擦除暫停指令中斷擦除指令退出，滿足指令響應的時間要求；在擦除暫停期間如果接收到讀操作指令，則對芯片內不需要執行讀操作的存儲單元施加負電壓，對芯片內需要進行讀操作的存儲單元施加正電壓，這樣可以避免由于過擦除單元的存在導致讀數據出錯的問題。

進一步地，芯片中響應所述擦除暫停指令中斷擦除指令退出的存儲單元和執行讀操作指令的存儲單元位于芯片的同一個列中。

進一步地，芯片中響應所述擦除暫停指令中斷擦除指令退出的存儲單元和執行讀操作指令的存儲單元位于兩個不同的塊中，兩個不同的塊位于芯片的同一個列中。

進一步地，芯片中響應所述擦除暫停指令中斷擦除指令退出的存儲單元和執行讀操作指令的存儲單元位于兩個不同的扇區中，兩個不同的扇區位于芯片的同一個列中。

進一步地，通過負電荷泵對芯片內不需要執行讀操作的存儲單元施加負電壓，所述負電荷泵在響應所述擦除暫停指令中斷擦除指令退出同時啟動。

進一步地，通過負電壓電路為芯片內不需要執行讀操作的存儲單元施加負電壓。

進一步地，通過負壓輸出電源為芯片內不需要執行讀操作的存儲單元施加負電壓。

本技術方案還提供一種防止因過擦除造成讀錯誤的裝置，包括：

暫停指令接收模塊，接收擦除暫停指令；