[發明專利]聲波諧振結構、濾波器及聲波諧振結構的制造方法在審
| 申請號: | 202110558790.5 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113328725A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 高智偉;楊騏瑋 | 申請(專利權)人: | 武漢衍熙微器件有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/25 | 分類號: | H03H9/25;H03H9/17;H03H9/56;H03H9/64;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/13;H03H9/145 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 王軍紅;張穎玲 |
| 地址: | 430205 湖北省武漢市江夏區藏龍島*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聲波 諧振 結構 濾波器 制造 方法 | ||
本發明實施例公開了一種聲波諧振結構、濾波器及聲波諧振結構的制造方法,其中,所述聲波諧振結構包括:襯底;依次層疊于襯底上的反射結構、第一電極層、壓電層和第二電極層;位于所述第二電極層上的保護層;其中,所述保護層與所述第二電極層之間形成有第一空腔;位于所述保護層上的第一強化層和第二強化層;其中,所述第一強化層與所述第一電極層電性連接,所述第二強化層與所述第二電極層電性連接,且所述第一強化層和所述第二強化層彼此不電性連接;所述第一強化層用于作為第一電極層的焊接層,所述第二強化層用于作為第二電極層的焊接層。
技術領域
本發明實施例涉及半導體領域,特別涉及一種聲波諧振結構、濾波器及聲波諧振結構的制造方法。
背景技術
在廣泛使用的諸如移動電話的通信設備中,通常包括使用聲波的聲波器件作為通訊設備的濾波器。作為聲波器件的示例,存在使用表面聲波(SAW,Surface Acoustic Wave)的器件、或者使用體聲波(BAW,Bulk Acoustic Wave)的器件等。聲波器件的性能會影響通信設備的通信效果。
隨著通訊技術的發展,如何在順應通信設備集成化和小型化發展趨勢的同時,提高聲波器件的性能成為亟待解決的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種聲波諧振結構、濾波器及聲波諧振結構的制造方法。
本發明實施例提供了一種聲波諧振結構,包括:
襯底;
依次層疊于襯底上的反射結構、第一電極層、壓電層和第二電極層;
位于第二電極層上的保護層;其中,保護層與第二電極層之間形成有第一空腔;
位于保護層上的第一強化層和第二強化層;其中,第一強化層與第一電極層電性連接,第二強化層與第二電極層電性連接,且第一強化層和第二強化層彼此不電性連接;第一強化層用于作為第一電極層的焊接層,第二強化層用于作為第二電極層的焊接層。
上述方案中,第一強化層與第二強化層之間形成有空隙;或者,第一強化層與第二強化層之間形成有絕緣層。
上述方案中,第一強化層的材料和第二強化層的材料包括導電材料,且第一強化層的材料和第二強化層的材料的壓縮強度均大于保護層的材料的壓縮強度。
上述方案中,第一強化層的材料和第二強化層的材料包括金屬。
上述方案中,諧振結構還包括:位于保護層與第一電極層之間的第一支撐層,及位于保護層與第二電極層之間的第二支撐層;其中,第一支撐層和第二支撐層的材料均包括導電材料或不導電材料。
上述方案中,
當第一支撐層和第二支撐層的材料為導電材料時,第一強化層通過第一支撐層與第一電極層電性連接,第二強化層通過第二支撐層與第二電極層電性連接;
當第一支撐層和第二支撐層的材料為不導電材料時,諧振結構還包括:在第一強化層與第一電極層之間的第一導電層,在第二強化層與第二電極層之間的第二導電層;第一強化層通過第一導電層與第一電極層電性連接,第二強化層通過第二導電層與第二電極層電性連接。
上述方案中,諧振結構還包括:
位于第一強化層和第二強化層上的凸點底部金屬層(UBM,Under Bump Metal);
位于凸點底部金屬層上的焊料凸點。
上述方案中,第一強化層和第二強化層的厚度相同。
上述方案中,第一強化層和第二強化層的面積相同或不同。
上述方案中,第一強化層的材料和第二強化層的材料相同或不同。
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