[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202110556966.3 | 申請日: | 2021-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN113345941A | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 胡澤虎 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,所述顯示面板包括:襯底基板;平坦層,設置于所述襯底基板上;第一電極層,設置于所述平坦層上,所述第一電極層包括在第一方向和第二方向上分別間隔排列的多個第一電極,所述第一方向與所述第二方向相交;第一像素定義層,設置于所述平坦層上,且分別沿所述第一方向和所述第二方向設置于相鄰所述第一電極之間的間隔中;第二像素定義層,沿所述第二方向設置于相鄰所述第一電極之間的所述第一像素定義層上。避免后續干法蝕刻制程中對平坦層厚度的影響,防止了第二像素定義層圖案化時形成凹形,降低出現橋接現象的概率;降低了所需第二像素定義層的厚度,節省了材料,降低了成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
顯示技術不斷更迭,顯示器件朝著多功能和數字化方向發展。大尺寸、高解析度、高色飽、節能、高亮、柔性、透明等逐漸成為技術發展的主流趨勢,包括量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)在內的有機發光二極管(OrganicElectroluminesence Display,OLED能夠最終實現以上極致性能。
OLED畫質優于液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD),在形態方面有更多的自由度,有輕薄、透明度高、柔性等特點。在OLED技術中,如果做大尺寸,印刷工藝是目前首要的技術選擇路線,其中像素定義層或者擋墻層,又影響著印刷品質的好壞,其中橋接是在印刷中常見的問題之一。在目前的工藝中,第一像素定義層需要做到0.4um,設備制成能力有限,不能一次涂布到此厚度,未解決此問題,目前做法是先涂布第一像素定義層到>0.8um,再通過干法蝕刻減薄到0.4um。但是這樣會帶了問題,在無第一像素定義層的區域,底層平坦層也會被減薄。在第二像素定義層圖形化時,第二像素定義層會呈現凹形,在印刷制程中,比較易發生橋接現象。
綜上所述,現有技術中存在減薄第一像素定義層容易減薄其它膜層,從而使得第二像素定義層形成凹形,進而發生橋接現象導致不良的技術問題。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置,用于解決現有技術中存在減薄第一像素定義層容易減薄其它膜層,從而使得第二像素定義層形成凹形,進而發生橋接現象導致不良的技術問題。
為解決上述問題,第一方面,本發明提供一種顯示面板,包括:
襯底基板;
平坦層,設置于所述襯底基板上;
第一電極層,設置于所述平坦層上,所述第一電極層包括在第一方向和第二方向上分別間隔排列的多個第一電極,所述第一方向與所述第二方向相交;
第一像素定義層,設置于所述平坦層上,且分別沿所述第一方向和所述第二方向設置于相鄰所述第一電極之間的間隔中;
第二像素定義層,沿所述第二方向設置于相鄰所述第一電極之間的所述第一像素定義層上。
在本發明的一些實施例中,所述第二像素定義層在所述平坦層上的正投影覆蓋所述第二方向上的所述第一像素定義層在所述平坦層上的正投影。
在本發明的一些實施例中,所述第二像素定義層的截面為梯形,所述第二像素定義層的上表面面積小于所述第二像素定義層的下表面面積。
在本發明的一些實施例中,所述第二像素定義層與所述第一像素定義層的接觸面保持水平或者向所述第二像素定義層的一側凸起。
在本發明的一些實施例中,所述第一像素定義層的厚度大于或者等于所述第一電極層的厚度。
在本發明的一些實施例中,所述第一像素定義層的厚度小于或等于0.4um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





