[發明專利]小信號管芯背金工藝

在審

• 申請號: 202110555614.6
• 申請日: 2021-05-21
• 公開（公告）號: CN113299549A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 劉官超;劉峻成
• 申請（專利權）人: 深圳市聯冀電子有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L29/41;H01L29/45
• 代理公司: 北京市浩東律師事務所 11499
• 代理人: 張樂中

1.小信號管芯背金工藝，其特征在于：該工藝具體包括如下步驟：

步驟一：晶片貼膜減薄，晶片正面貼保護膜，晶片背面減薄，減薄厚度為3-10um；

步驟二：去除膜層，晶片背面減薄后去除晶片正面的保護膜層；

步驟三：一次蒸發，通過半導體專用設備蒸發臺淀積Ti/AL膜層，Ti淀積溫度180℃-260℃，AL淀積溫度150℃-240℃；

步驟四：二次蒸發，通過半導體專用設備蒸發臺淀積Ti/AL膜層，Ti金屬膜厚0.05-0.2um，AL淀積溫度1-8um；

步驟五：三次蒸發，晶片背面淀積Ti/AL后進爐管合金，N2氣和H2氣氛圍合金，合金溫度380℃-480℃；

步驟六：四次蒸發，合金后的晶片再進蒸發臺淀積Ti/Ni/SnCu/Au，淀積溫度分別為Ti：160℃-240℃，Ni：120℃-200℃，SnCu：40℃-100℃，Au：40℃-80℃；淀積速率以實際蒸發臺的最佳條件為準；

步驟七：五次蒸發，合金后的晶片再進蒸發臺淀積Ti/Ni/SnCu/Au，膜層厚度分別為Ti：0.05-0.2um，Ni：0.1-0.5um，SnCu：2-10um，Au：0.05-1.0um；

步驟八：淀積完成，晶片完成背面金屬工藝的淀積。

2.根據權利要求1所述的小信號管芯背金工藝，其特征在于：所述步驟一中首先對晶片正面貼保護膜，對晶片正面進行保護，再通過硅腐蝕對晶片背面進行腐蝕減薄。

3.根據權利要求1所述的小信號管芯背金工藝，其特征在于：所述步驟二中通過吸取設備去除晶片正面的保護膜層，去除晶片正面保護膜的同時對晶片進行清洗。

4.根據權利要求1所述的小信號管芯背金工藝，其特征在于：所述步驟三、步驟四和步驟五為同步進行蒸發，所述步驟六和步驟七為同步進行蒸發，所述步驟六和步驟七排列在步驟三、步驟四和步驟五的下一步。

5.根據權利要求1所述的小信號管芯背金工藝，其特征在于：所述步驟六中SnCu為合金，SnCu需要金屬鎢舟來盛放源材料。

6.根據權利要求1所述的小信號管芯背金工藝，其特征在于：所述步驟七中Ti/Ni/SnCu/Au的膜層厚度為中膜層厚度。

7.根據權利要求6所述的小信號管芯背金工藝，其特征在于：所述步驟八中蒸發后硅襯底下方為六層金屬結構，排列順序依次為硅襯底、Ti、AL、Ti、Ni、SnCu、Au。