[發明專利]一種偏光片用抗靜電光學離型膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202110543121.0
• 申請日: 2021-05-19
• 公開（公告）號: CN113308007A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 裴建軍
• 申請（專利權）人: 浙江日久新材料科技有限公司
• 主分類號: C08J7/04
• 分類號: C08J7/04;C08J7/044;C09D183/07;C09D5/20;C09D5/24;C09D7/62;C09D7/65;C08L67/02
• 代理公司: 杭州中利知識產權代理事務所(普通合伙) 33301
• 代理人: 劉昕

1.一種偏光片用抗靜電光學離型膜，自上而下包括離型層、基材層和抗靜電層，其特征在于，所述離型層包括以下重量份的組分：乙烯基聚二甲基硅氧烷20-40份，含氫聚硅氧烷3-8份，錨固劑0.5-1.5份，化學改性無機粒子0.05-0.2份，氟改性有機硅樹脂3-8份，鉑催化劑2-4份，有機溶劑130份；所述改性無機粒子的徑粒范圍為50-400nm；所述化學改性無機粒子為硅烷偶聯劑KH-570改性的二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈦中的一種或者多種。

2.如權利要求1所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于：所述離型層包括以下重量份的組分：乙烯基聚二甲基硅氧烷30份，含氫聚硅氧烷5份，錨固劑1份，化學改性無機粒子0.1份，氟改性有機硅樹脂5份，鉑催化劑3份，有機溶劑130份；所述化學改性無機粒子的徑粒為200nm；所述化學改性無機粒子為硅烷偶聯劑KH-570改性的二氧化硅。

3.如權利要求1或2所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于，所述氟改性有機硅樹脂制備方法如下：室溫下將20份,1,3,5-三(3,3,3-三氟丙基)-1,3,5-三甲基環三硅氧烷和3份碳酸鈣，投入攪拌釜中，升溫至90-130℃，攪拌均勻，抽真空除去體系水分，冷卻至室溫得到基礎膠料；然后將所述基礎膠料、8份甲基三甲氧基硅烷和6份N-(β-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷投入在高速分散攪拌機中，攪拌時間10-30min，攪拌速率為2000-3500r/min；接著通氮氣，攪拌下加入0.01份二硫醇甲基錫，攪拌時間30-50min，攪拌速率為1500-2500r/min，抽真空脫氣泡，最后得到所述氟改性有機硅樹脂。

4.如權利要求1或2所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于：所述含氫聚硅氧烷為甲基含氫聚硅氧烷、乙基含氫聚硅氧烷、苯基含氫聚硅氧烷中的一種或者多種。

5.如權利要求1或2所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于：所述錨固劑為硅烷偶聯劑KH-560。

6.如權利要求1或2所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于：所述鉑催化劑為質量分數為5％的Karstedt催化劑。

7.如權利要求1或2所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于：所述有機溶劑包括甲苯和乙酸乙酯，甲苯和乙酸乙酯的質量比為10:3。

8.如權利要求1或2或3所述的偏光片用抗靜電光學離型膜，其特征在于：所述乙烯基聚二甲基硅氧烷的重均分子量為30-100萬，所述含氫聚硅氧烷的重均分子量為1.5-2.5萬。

9.一種偏光片用抗靜電光學離型膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將硅烷偶聯劑KH-570、粒徑為50-400nm的無機粒子、乙酸乙酯按照重量份比例為1:10:100依次加入到反應釜中，在40-60℃的反應溫度下，超聲分散反應4-6h，經過干燥后得到化學改性無機粒子；

(2)在厚度為25-250um的基材層的背面涂布一層厚度為0.2-2um抗靜電層，涂布后在90-120℃的溫度下烘烤10-30s；所述抗靜電層的涂料為水溶性聚噻吩體系，水溶液的固含為5％；

(3)按照權利要求1所述的配方稱取原料加入攪拌釜中，進行攪拌分散20-40min，得到離型層涂料；

(4)將離型層涂料采用微凹涂布方式涂布在基材層非抗靜電層的正面上，涂布厚度為5um，涂布后在90-120℃的溫度下烘烤10-30s；

(5)收卷制備得到的偏光片用光學抗靜電離型膜產品。

10.如權利要求9所述的偏光片用抗靜電光學離型膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中無機粒子為徑粒200nm的二氧化硅，反應溫度為50℃，超聲分散反應時間為5h；所述步驟(2)中，基材層為38um厚度的PET，抗靜電層的厚度為0.5um，烘烤溫度為110℃，烘烤時間為20s；所述步驟(3)中攪拌分散的時間為30min；所述步驟(4)中烘烤溫度為110℃，烘烤時間為20s。