[發明專利]發光元件、發光裝置、電子設備及照明裝置

在審

• 申請號: 202110543063.1
• 申請日: 2016-11-21
• 公開（公告）號: CN113937228A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 橋本直明;鈴木恒德;瀨尾哲史;瀨尾廣美;木戶裕允
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李嘯

1.一種發光元件，包括：

陽極；

陰極；以及

所述陽極與所述陰極之間的EL層，

其中，所述EL層包括發光層以及與所述發光層接觸的電子傳輸層，

所述發光層包含主體材料，

所述電子傳輸層包含第一材料，

所述第一材料的LUMO能級比所述主體材料的LUMO能級低，

并且，所述主體材料的三重態激發能與所述主體材料的單重態激發能之差大于0.2eV。

2.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述主體材料的所述三重態激發能與所述主體材料的所述單重態激發能之差為0.5eV以上。

3.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述第一材料是包含具有二嗪骨架或三嗪骨架的稠合雜芳環骨架的物質。

4.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述第一材料是包含吡嗪骨架或嘧啶骨架的物質。

5.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述第一材料的三重態激發能比所述發光層中含有的材料中三重態激發能最高的物質的三重態激發能高0.2eV以上。

6.根據權利要求1所述的發光元件，還包括與所述發光層接觸的空穴傳輸層，

其中，所述空穴傳輸層含有第二材料，

并且，所述第二材料的LUMO能級高于所述主體材料的LUMO能級。

7.根據權利要求1所述的發光元件，還包括與所述發光層接觸的空穴傳輸層，

其中，所述空穴傳輸層包含第二材料，

并且，所述第二材料的三重態激發能比所述發光層中含有的材料中三重態激發能最高的物質的三重態激發能高0.2eV以上。

8.根據權利要求1所述的發光元件，還包括熒光材料。

9.根據權利要求8所述的發光元件，

其中，所述熒光材料的三重態激發能比所述主體材料的三重態激發能高。

10.根據權利要求8所述的發光元件，

其中，所述熒光材料的LUMO能級高于或等于所述主體材料的LUMO能級。

11.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述發光層發射藍光。

12.根據權利要求1所述的發光元件，

其中，所述第一材料的LUMO能級比所述主體材料的LUMO能級低0.05eV以上。

13.一種發光元件，包括：

陽極；

陰極；以及

所述陽極與所述陰極之間的電荷產生層；

所述陽極與所述電荷產生層之間的第一EL層；

所述電荷產生層與所述陰極之間的第二EL層；

其中，所述第一EL層包括第一發光層以及與所述第一發光層接觸的第一電子傳輸層，

所述第一發光層包含第一主體材料，

所述第一電子傳輸層包含第一材料，

所述第一材料的LUMO能級比所述第一主體材料的LUMO能級低，

所述第一主體材料的三重態激發能與所述第一主體材料的單重態激發能之差大于0.2eV,

所述第二EL層包括第二主體材料和第二輔助材料。

14.根據權利要求13所述的發光元件，

其中，所述第一主體材料的所述三重態激發能與所述第一主體材料的所述單重態激發能之差為0.5eV以上。

15.根據權利要求13所述的發光元件，

其中，所述第一材料是包含具有二嗪骨架或三嗪骨架的稠合雜芳環骨架的物質。