[發(fā)明專利]基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線及電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110539061.5 | 申請日： | 2021-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN113346245A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙偉;唐小蘭;戴令亮;謝昱乾 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市信維通信股份有限公司 |
| 主分類號： | H01Q9/04 | 分類號： | H01Q9/04;H01Q1/36;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275 | 代理人： | 劉曉燕 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 介電常數(shù) 介質(zhì) 諧振器 天線 電子設(shè)備 | ||
1.一種基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，包括層疊的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層包括天線區(qū)域，所述天線區(qū)域中設(shè)有多個過孔；所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的介電常數(shù)為2.2-4.4；所述天線區(qū)域的長度和寬度均為0.55λ-0.65λ，λ為波長長度；所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材質(zhì)為LCP。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和天線區(qū)域的厚度為二十分之一的波長長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的介電常數(shù)為2.2、2.9、3、3.3、3.52、3.66或4.4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，所述多個過孔呈n×n陣列分布，n為正整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，還包括天線地層和第三介質(zhì)層，所述天線地層位于所述第二介質(zhì)層遠離第一介質(zhì)層的一側(cè)，所述第三介質(zhì)層位于所述天線地層遠離第二介質(zhì)層的一側(cè)；所述天線地層上設(shè)有饋電縫隙，所述天線區(qū)域在所述天線地層上的投影覆蓋所述饋電縫隙。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，還包括微帶線，所述微帶線設(shè)置于所述第三介質(zhì)層遠離天線地層的一面上，所述微帶線與所述饋電縫隙耦合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，所述微帶線在所述天線地層上投影與所述饋電縫隙垂直相交。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)為2.2-4.4；所述第三介質(zhì)層的材質(zhì)為LCP。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，所述第三介質(zhì)層的介電常數(shù)為2.2、2.9、3、3.3、3.52、3.66或4.4。
10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的基于低介電常數(shù)介質(zhì)的介質(zhì)諧振器天線。
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