[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110532732.5
• 申請日: 2021-05-17
• 公開（公告）號: CN114121934A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 李鐘振;金京旭;金洛煥;劉承勇;鄭恩志
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉林果;劉美華

提供了半導體裝置。所述半導體裝置包括：第一層間絕緣層；下互連線，位于第一層間絕緣層中；蝕刻停止層，位于第一層間絕緣層和下互連線上；第二層間絕緣層，位于蝕刻停止層上；以及上互連線，位于第二層間絕緣層中。上互連線包括延伸通過蝕刻停止層并接觸下互連線的過孔部分。過孔部分包括阻擋圖案和導電圖案。阻擋圖案包括位于導電圖案與第二層間絕緣層之間的第一阻擋層以及位于導電圖案與下互連線之間的第二阻擋層。第一阻擋層的電阻率比第二阻擋層的電阻率大。第一阻擋層中的氮濃度比第二阻擋層中的氮濃度大。

本申請要求于2020年8月25日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0106870號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思的實施例涉及半導體裝置和用于制造該半導體裝置的方法，更具體地，涉及包括場效應晶體管的半導體裝置和用于制造該半導體裝置的方法。

背景技術

半導體裝置可以包括包含金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的集成電路。由于半導體裝置的尺寸和設計規則已經減小，因此MOSFET已經按比例縮小。半導體裝置的操作特性會由于MOSFET的尺寸的減小而劣化。因此，已經研究了在克服由于高集成度而引起的限制的同時用于形成優異性能的半導體裝置的各種方法。

發明內容

本發明構思的實施例可以提供具有改善的電特性的半導體裝置和用于制造該半導體裝置的方法。

根據本發明構思的一些實施例，半導體裝置可以包括：晶體管，位于基底上；第一層間絕緣層，位于晶體管上；下互連線，位于第一層間絕緣層中；蝕刻停止層，位于第一層間絕緣層和下互連線上；第二層間絕緣層，位于蝕刻停止層上；以及上互連線，位于第二層間絕緣層中。上互連線可以包括延伸通過蝕刻停止層并接觸下互連線的過孔部分。過孔部分可以包括阻擋圖案和位于阻擋圖案上的導電圖案。阻擋圖案可以包括位于導電圖案與第二層間絕緣層之間的第一阻擋層以及位于導電圖案與下互連線之間的第二阻擋層。第一阻擋層的電阻系數可以比第二阻擋層的電阻系數大，第一阻擋層中的氮(N)的濃度可以比第二阻擋層中的氮(N)的濃度大。

根據本發明構思的一些實施例，半導體裝置可以包括：晶體管，位于基底上；第一層間絕緣層，位于晶體管上；下互連線，位于第一層間絕緣層中；蝕刻停止層，位于第一層間絕緣層和下互連線上；第二層間絕緣層，位于蝕刻停止層上；以及上互連線，位于第二層間絕緣層中。上互連線可以包括延伸通過蝕刻停止層并接觸下互連線的過孔部分。過孔部分可以包括阻擋圖案和位于阻擋圖案上的導電圖案。阻擋圖案可以包括位于導電圖案與第二層間絕緣層之間的第一部分以及位于導電圖案與下互連線之間的第二部分。阻擋圖案的第一部分可以具有第一氮濃度，阻擋圖案的第二部分可以具有第二氮濃度。第一氮濃度可以比第二氮濃度大。阻擋圖案的第一部分可以具有第一厚度，阻擋圖案的第二部分可以具有第二厚度。第一厚度可以比第二厚度大。