[發(fā)明專利]集成組合件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110521384.1 | 申請日: | 2021-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN114078513A | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | S·J·德爾納;C·J·卡瓦姆拉 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C11/4074 | 分類號: | G11C11/4074;G11C11/4094;G11C11/4097 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 組合 | ||
本申請案涉及集成組合件。一些實施例包含一種集成組合件,所述集成組合件具有與驅(qū)動器電路耦合的第一字線和第二字線。所述第一字線具有遠(yuǎn)離所述驅(qū)動器電路的第一末端,并且所述第二字線具有遠(yuǎn)離所述驅(qū)動器電路的第二末端。開關(guān)鄰近于所述第一末端且被配置成在所述第一字線從“開啟”狀態(tài)到“關(guān)斷”狀態(tài)的轉(zhuǎn)變期間將所述第一末端耦合到所述第二末端和低電壓參考源(例如,VNWL電源)中的一個或兩個。
技術(shù)領(lǐng)域
存儲器陣列(例如,DRAM陣列)。集成組合件包括豎直堆疊層面。
背景技術(shù)
現(xiàn)代計算架構(gòu)中利用存儲器來存儲數(shù)據(jù)。一種類型的存儲器是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。與替代類型的存儲器相比,DRAM可提供結(jié)構(gòu)簡單、低成本且速度快的優(yōu)點。
DRAM可利用存儲器單元,所述存儲器單元具有一個電容器與一個晶體管(所謂的1T-1C存儲器單元),其中電容器與晶體管的源極/漏極區(qū)耦合。在圖1中展示實例1T-1C存儲器單元2,其中晶體管標(biāo)記為T且電容器標(biāo)記為C。電容器具有與晶體管的源極/漏極區(qū)耦合的一個節(jié)點,并且具有與共同板CP耦合的另一節(jié)點。共同板可與例如處于從大于或等于接地到小于或等于VCC的范圍內(nèi)的電壓(即,接地≤CP≤VCC)的任何合適電壓耦合。在一些應(yīng)用中,共同板處于約二分之一VCC(即,約VCC/2)的電壓下。晶體管具有耦合到字線WL(即,存取線、路由線、第一線性結(jié)構(gòu)等)的柵極,并且具有耦合到位線BL(即,數(shù)字線、感測線、第二線性結(jié)構(gòu)等)的源極/漏極區(qū)。在操作中,由沿著字線的電壓產(chǎn)生的電場可在讀取/寫入操作期間以選通方式將位線耦合到電容器。
在圖2中展示另一現(xiàn)有技術(shù)1T-1C存儲器單元配置。圖2的配置展示兩個存儲器單元2a和2b;其中存儲器單元2a包括晶體管T1和電容器C1,并且存儲器單元2b包括晶體管T2和電容器C2。字線WL0和WL1分別與晶體管T1和T2的柵極電耦合。與位線BL的連接由存儲器單元2a和2b共享。
上文所描述的存儲器單元可并入到存儲器陣列中,并且在一些應(yīng)用中存儲器陣列可具有開放式位線布置。在圖3中展示具有開放式位線架構(gòu)的實例集成組合件9。組合件9包含兩個橫向鄰近的存儲器陣列(“陣列-1”和“陣列-2”),其中所述陣列中的每一個包含圖2中所描述的類型的存儲器單元(在圖3中不進(jìn)行標(biāo)記以簡化圖式)。字線WL0-WL7跨越陣列延伸,并且與字線驅(qū)動器耦合。數(shù)字線D0-D8與第一陣列(陣列-1)相關(guān)聯(lián),并且數(shù)字線D0*-D8*與第二陣列(陣列-2)相關(guān)聯(lián)。感測放大器SA0-SA8設(shè)置在第一陣列與第二陣列之間。處于相同高度的數(shù)字線彼此配對且經(jīng)由感測放大器進(jìn)行比較(例如,數(shù)字線D0和D0*彼此配對且與感測放大器SA0進(jìn)行比較)。在讀取操作中,配對的數(shù)字線中的一個可充當(dāng)確定配對的數(shù)字線中的另一個的電特性(例如,電壓)的參考。
集成電路制造的持續(xù)目標(biāo)是增加封裝密度且進(jìn)而增加集成水平。需要開發(fā)具有緊密封裝的存儲器的三維布置。另一持續(xù)目標(biāo)是從存儲器陣列的存儲器單元快速地讀取/寫入/快速地讀取/寫入到存儲器陣列的存儲器單元。對讀取/寫入操作的速度的限制可為字線可從“開啟”轉(zhuǎn)變到“關(guān)斷”的速度。
發(fā)明內(nèi)容
在一個方面中,本申請案提供一種集成組合件,其包括:第一字線,其與驅(qū)動器電路耦合且具有遠(yuǎn)離所述驅(qū)動器電路的第一末端;第二字線,其與所述驅(qū)動器電路耦合且具有遠(yuǎn)離所述驅(qū)動器電路的第二末端;以及開關(guān),其鄰近于所述第一末端且被配置成在所述第一字線從“開啟”狀態(tài)到“關(guān)斷”狀態(tài)的轉(zhuǎn)變期間將所述第一末端耦合到所述第二末端和低電壓參考源中的一個或兩個。
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