[發明專利]具有分段延伸區的晶體管

在審

• 申請號: 202110509973.8
• 申請日: 2021-05-11
• 公開（公告）號: CN113809158A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 亨利·奧爾德里奇;約翰·J·艾利斯-蒙納翰;M·J·阿布-哈利勒
• 申請（專利權）人: 格芯（美國）集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種場效應晶體管的結構，該結構包括：

襯底，包括溝道區；

柵極結構，位于該溝道區上方，該柵極結構具有縱軸、第一側壁、以及與該第一側壁相對的第二側壁；

第一源極/漏極區，位于與該柵極結構的該第一側壁相鄰的該襯底中；

第二源極/漏極區，位于與該柵極結構的該第二側壁相鄰的該襯底中；以及

第一延伸區，位于該襯底中，該第一延伸區包括分別與該第一源極/漏極區疊置的第一區段及第二區段，且該第一延伸區的該第一區段與該第二區段沿該柵極結構的該縱軸隔開，

其中，該溝道區包括在該第一延伸區的該第一區段與該第二區段之間沿該柵極結構的該縱軸定位的部分。

2.如權利要求1所述的結構，其中，該溝道區的該部分與該第一源極/漏極區共同延伸。

3.如權利要求1所述的結構，其中，該溝道區的該部分將該第一延伸區的該第一區段與該第一延伸區的該第二區段完全隔開。

4.如權利要求1所述的結構，其中，該第一延伸區具有第一導電類型，且該溝道區具有與該第一導電類型相反的第二導電類型。

5.如權利要求1所述的結構，還包括：

第二延伸區，位于該襯底中，該第二延伸區包括分別與該第二源極/漏極區疊置的第一區段及第二區段，該第二延伸區的該第一區段與該第二區段沿該柵極結構的該縱軸隔開。

6.如權利要求5所述的結構，其中，該溝道區包括在該第二延伸區的該第一區段與該第二區段之間沿該柵極結構的該縱軸定位的第二部分。

7.如權利要求5所述的結構，其中，該溝道區包括在該第一延伸區的該第一區段與該第二延伸區的該第一區段之間橫切于該柵極結構的該縱軸定位的第二部分，且該溝道區包括在該第一延伸區的該第二區段與該第二延伸區的該第二區段之間橫切于該柵極結構的該縱軸定位的第三部分。

8.如權利要求1所述的結構，還包括：

第一環狀區，位于該襯底中，該第一環狀區包括分別與該第一延伸區疊置的第一區段及第二區段，且該第一環狀區的該第一區段與該第二區段沿該柵極結構的該縱軸隔開。

9.如權利要求8所述的結構，其中，該溝道區包括在該第一環狀區的該第一區段與該第二區段之間沿該柵極結構的該縱軸定位的第二部分。

10.如權利要求8所述的結構，還包括：

第二延伸區，位于該襯底中，該第二延伸區包括分別與該第二源極/漏極區疊置的第一區段及第二區段，且該第二延伸區的該第一區段與該第二區段沿該柵極結構的該縱軸隔開。

11.如權利要求10所述的結構，還包括：

第二環狀區，位于該襯底中，該第二環狀區包括分別與該第二延伸區疊置的第一區段及第二區段，且該第二環狀區的該第一區段與該第二區段沿該柵極結構的該縱軸隔開。

12.如權利要求11所述的結構，其中，該溝道區包括在該第二環狀區的該第一區段與該第二區段之間沿該柵極結構的該縱軸定位的第二部分。

13.如權利要求8所述的結構，其中，該第一延伸區具有第一導電類型，該溝道區及該第一環狀區具有與該第一導電類型相反的第二導電類型，且與該溝道區相比，該第一環狀區含有較高的摻雜物濃度。