[發(fā)明專利]一種全差分求和放大電路

在審

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• 申請日: 2021-05-10
• 公開（公告）號: CN113114143A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡梟;嚴(yán)培青;趙智超
• 申請（專利權(quán)）人: 上海傳泰電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 上海怡恩專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31336
• 代理人: 潘青青

1.一種全差分求和放大電路，其特征在于，包括負(fù)反饋結(jié)構(gòu)和第一級放大器，所述負(fù)反饋結(jié)構(gòu)包括第二級放大器，所述第二級放大器的輸入和輸出之間跨接有電阻，所述第一級放大器包括第一跨導(dǎo)放大器和第二跨導(dǎo)放大器，所述第二級放大器的正輸入端連接第一跨導(dǎo)放大器的負(fù)輸出端和第二跨導(dǎo)放大器的負(fù)輸出端，第二級放大器的負(fù)輸入端連接第一跨導(dǎo)放大器的正輸出端和第二跨導(dǎo)放大器的正輸出端。

2.如權(quán)利要求1的一種全差分求和放大電路，其特征在于，所述第一跨導(dǎo)放大器包括差分信號正輸入端和差分信號負(fù)輸入端兩個輸入端，及正輸出端和負(fù)輸出端兩個輸出端；所述第二跨導(dǎo)放大器包括差分信號正輸入端和差分信號負(fù)輸入端兩個輸入端，及正輸出端和負(fù)輸出端兩個輸出端。

3.如權(quán)利要求1的一種全差分求和放大電路，其特征在于，所述第一跨導(dǎo)放大器和第二跨導(dǎo)放大器的輸入端連接兩組霍爾元件的輸出電壓。

4.如權(quán)利要求1的一種全差分求和放大電路，其特征在于，所述負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的跨接電阻包括第一電阻R1、第二電阻R2。

5.如權(quán)利要求1的一種全差分求和放大電路，其特征在于，所述第二級放大器的正輸入端連接第一跨導(dǎo)放大器的負(fù)輸出端和第二跨導(dǎo)放大器的負(fù)輸出端，第二級放大器的負(fù)輸入端連接第一跨導(dǎo)放大器的正輸出端和第二跨導(dǎo)放大器的正輸出端。

6.如權(quán)利要求1的一種全差分求和放大電路，其特征在于，第一電阻R1與第二級放大器的正輸入端至正輸出端并聯(lián)；第二電阻R2與第二級放大器的負(fù)輸入端至負(fù)輸出端并聯(lián)。

7.如權(quán)利要求1的一種全差分求和放大電路，其特征在于，所述第一跨導(dǎo)放大器和第二跨導(dǎo)放大器的結(jié)構(gòu)相同，所述第一跨導(dǎo)放大器包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第一NPN三極管Q1、第二NPN三極管Q2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5和內(nèi)部放大器。

8.如權(quán)利要求7的一種全差分求和放大電路，其特征在于，所述第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的源極連接VCC，第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2的柵極連接內(nèi)部放大器的輸出端，第一PMOS管MP1的漏極連接第一NPN三極管Q1的集電極，第二PMOS管MP2的漏極連接第二NPN三極管Q2的集電極；

第一NPN三極管Q1，其基極為信號的正輸入端，其發(fā)射極連接第四NMOS管的漏極；

第二NPN三極管Q2，其基極為信號的負(fù)輸入端，其發(fā)射極連接第四NMOS管的漏極；

第一NMOS管MN1，其源極連接地，其漏極連接第三NMOS管MN3的源極，其柵極連接第二NMOS管MN2的柵極，且其柵極與第五電阻R5的一端相連；

第二NMOS管MN2，其源極連接地，其漏極連接第四NMOS管MN4的源極；

第三NMOS管MN3，其漏極連接第五電阻R5的一端，其柵極連接第四NMOS管MN4的柵極，且其柵極與第五電阻R5的另一端相連；

第五電阻R5,其另一端和產(chǎn)生與溫度成正相關(guān)電流的帶隙基準(zhǔn)模塊相連；

第四電阻R4，其一端與第一NPN三極管Q1的集電極相連，另一端與第三電阻R3一端相連，且其另一端與內(nèi)部放大器的正輸入端相連；

第三電阻R3，其另一端與第二NPN三極管的Q2的集電極相連；

內(nèi)部放大器的負(fù)輸入端與基準(zhǔn)電壓相連。