[發(fā)明專利]含稀土鹽配液制備米粒狀銅箔的方法及其應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110505580.X | 申請(qǐng)日： | 2021-05-10 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113235139B | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 唐云志;樊小偉;孫楨;譚育慧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江西理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C25D1/04 | 分類號(hào)： | C25D1/04;C25D3/38;C25D7/06;H05K1/02;H05K3/02 |
| 代理公司： | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 劉依云;張慧汝 |
| 地址： | 341000 江*** | 國(guó)省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 稀土 鹽配液 制備 米粒 銅箔 方法 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種銅箔，其特征在于，所述銅箔具有至少一個(gè)具有米粒狀瘤點(diǎn)的粗糙表面；其中，所述米粒狀瘤點(diǎn)的長(zhǎng)短軸尺寸比值≥1.7，所述銅箔的粗糙表面的表面粗糙值Rz≥2μm，Ra≤0.4μm，所述銅箔的粗糙表面與熱固性樹脂之間的剝離強(qiáng)度≥0.8N/mm；
其中，所述銅箔產(chǎn)品的制備方法包括以下步驟：
（1）將原料銅箔在一次處理配液中進(jìn)行第一次表面處理，得到一次處理銅箔；其中，基于所述一次處理配液的總量，所述一次處理配液包括銅離子2-40g/L，硫酸50-300g/L，硫酸鉍30-400ppm，鎢酸鈉5-250ppm，稀土鹽20-400ppm；其中，所述稀土鹽為稀土硫酸鹽，所述稀土硫酸鹽選自硫酸鑭、硫酸鈰、硫酸鋱、硫酸釔中的至少一種；第一次表面處理的極限電流密度為10-50A/dm2；
（2）將所述一次處理銅箔在二次處理配液中進(jìn)行第二次表面處理，得到銅箔產(chǎn)品；其中，基于所述二次處理配液的總量，所述二次處理配液包括銅離子20-80g/L，硫酸50-200g/L，氯離子50-400ppm；其中，第二次表面處理的穩(wěn)態(tài)電流密度為2-40A/dm2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅箔，其中，所述米粒狀瘤點(diǎn)的長(zhǎng)短軸尺寸比值為1.5-2.5；
所述銅箔的粗糙表面的表面粗糙值Rz為2.1-3μm，表面粗糙值Ra為0.2-0.4μm；
所述銅箔的粗糙表面與熱固性樹脂之間的剝離強(qiáng)度為0.8-1.8N/mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銅箔，其中，所述米粒狀瘤點(diǎn)的長(zhǎng)短軸尺寸比值為1.7-2.2；
所述銅箔的粗糙表面的表面粗糙值Rz 2.3-2.8μm，表面粗糙值Ra為0.28-0.37μm；
所述銅箔的粗糙表面與熱固性樹脂之間的剝離強(qiáng)度為0.95-1.5N/mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的銅箔，其中，所述米粒狀瘤點(diǎn)之間的間隔為0.08-0.25μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的銅箔，其中，所述米粒狀瘤點(diǎn)之間的間隔為0.1-0.2μm。
6.一種銅箔產(chǎn)品的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
（1）將原料銅箔在一次處理配液中進(jìn)行第一次表面處理，得到一次處理銅箔；其中，基于所述一次處理配液的總量，所述一次處理配液包括銅離子2-40g/L，硫酸50-300g/L，硫酸鉍30-400ppm，鎢酸鈉5-250ppm，稀土鹽20-400ppm；其中，所述稀土鹽為稀土硫酸鹽，所述稀土硫酸鹽選自硫酸鑭、硫酸鈰、硫酸鋱、硫酸釔中的至少一種；第一次表面處理的極限電流密度為10-50A/dm2；
（2）將所述一次處理銅箔在二次處理配液中進(jìn)行第二次表面處理，得到銅箔產(chǎn)品；其中，基于所述二次處理配液的總量，所述二次處理配液包括銅離子20-80g/L，硫酸50-200g/L，氯離子50-400ppm；其中，第二次表面處理的穩(wěn)態(tài)電流密度為2-40A/dm2；
其中，所述銅箔產(chǎn)品的至少一個(gè)表面上具有米粒狀瘤點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其中，所述第一次表面處理的條件包括：第一次表面處理的處理溫度為10-40℃，第一次表面處理的處理時(shí)間為1-8s。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其中，所述第一次表面處理的條件包括：第一次表面處理的極限電流密度20-40A/dm2，第一次表面處理的處理溫度為15-30℃，第一次表面處理的處理時(shí)間為1-5s。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任意一項(xiàng)所述的制備方法，其中，所述一次處理銅箔的至少一個(gè)表面上，具有垂直于銅箔表面的豎直細(xì)長(zhǎng)晶須。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其中，第二次表面處理的處理溫度為10-40℃，第二次表面處理的處理時(shí)間為1-8s。
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