[發明專利]發光二極管、發光裝置及其投影儀有效
| 申請號： | 202110500339.8 | 申請日： | 2021-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN113270526B | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發明（設計）人： | 曾曉強;林坤德;楊劍鋒;許凱晴;黃少華 | 申請（專利權）人： | 朗明納斯光電（廈門）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/62;H05K1/18;H01L25/075;G03B21/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 發光 裝置 及其 投影儀 | ||
1.一種發光二極管，包括：
第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層及位于兩者之間的有源層；
復數對第一電極和第二電極，依次分別與第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層電連接；
其特征在于：任意相鄰第一電極之間的距離大于任意第一電極與其相鄰的第二電極的距離，還包括絕緣性襯底，第一電連接層位于絕緣性襯底和第一導電類型半導體層之間。
2.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：復數對第一電極設置于發光二極管對稱的兩邊，和/或復數對第二電極設置于發光二極管對稱的兩邊。
3.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第一電極至少通過第一電連接層與第一導電類型半導體層電連接，第一電連接層設置在第一導電類型半導體層底部，第一電連接層部分從第一導電類型半導體層底部露出，第一電極設置在露出的第一電連接層上，第二電極設置在第二導電類型半導體層上。
4.根據權利要求3所述的一種發光二極管，其特征在于：第一電連接層至少部分位于第一導電類型半導體層的底部，且第一電連接層與第二電極關于有源層對稱設置。
5.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第一導電類型半導體層或/和第二導電類型半導體層的載流子遷移率不高于500cm2/V·s。
6.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層及位于兩者之間的有源層為砷化鎵基。
7.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第二導電類型半導體層和第二電極之間設置有第二電連接層。
8.根據權利要求7所述的一種發光二極管，其特征在于：第二電連接層為透明電流擴展層。
9.根據權利要求7所述的一種發光二極管，其特征在于：第二電連接層為摻雜的磷化鎵層，磷化鎵層具有粗化表面。
10.根據權利要求9所述的一種發光二極管，其特征在于：所述摻雜的磷化鎵層的載流子遷移率不高于500cm2/V·s。
11.根據權利要求9所述的一種發光二極管，其特征在于：磷化鎵的厚度為2至4μm，摻雜成分包括鎂。
12.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第一電極和第二電極指向同一側。
13.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：發光二極管的電流密度大于3A/mm2。
14.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：發光二極管的芯片面積為1至3mm2。
15.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：相鄰第一電極之間的距離為所述第一電極與其相鄰的第二電極的距離10至20倍，或者20倍以上。
16.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：發光二極管為矩形，矩形包括長邊和短邊，相鄰第一電極的距離大于芯片長邊長度的50%。
17.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第一電極和第二電極的材料包括：金、錫、鉑、鈦、鉻、鋁或者鎳。
18.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：第一電極和第二電極為矩形，第一電極和第二電極的寬度為100至150μm。
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