[發明專利]光學器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110498632.5
• 申請日: 2021-05-08
• 公開（公告）號: CN113241340B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 趙強
• 申請（專利權）人: 上海煜瓏電子科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/50
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種光學器件，包括封裝結構和設置于所述封裝結構的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括至少兩個LED子芯片，所述封裝結構包括激發體；

至少兩個所述LED子芯片配置為分別發射不同波長范圍的光，以形成由順次部分重疊的若干子連續光譜組成的第一連續光譜，所述激發體配置為發射另外不同波長范圍的光，以形成第二連續光譜，相鄰所述子連續光譜的中心波長的差值為10-50nm，所述子連續光譜的半峰寬為20-100nm，以使相鄰所述子連續光譜之間部分重疊以形成重疊區域；

所述第一連續光譜與所述第二連續光譜部分重疊，以使所述光學器件發射類太陽光的連續光譜；

所述第一連續光譜的波長范圍包括400-500nm，所述第二連續光譜的波長范圍包括455-780nm。

2.根據權利要求1所述的光學器件，其特征在于，所述激發體包括若干不同顏色的熒光粉，以通過所述LED芯片激發產生所述另外不同波長范圍的光，若干所述熒光粉的顏色包括藍色、綠色、橙色和紅色。

3.根據權利要求1所述的光學器件，其特征在于，每個所述LED子芯片包括子有源區發光層量子阱，不同的所述子有源區發光層量子阱中，元素種類或同一元素相對于對應的所述子有源區發光層量子阱的含量不同，以形成所述子連續光譜的發光峰值。

4.根據權利要求3所述的光學器件，其特征在于，所述子有源區發光層量子阱由氮化銦鎵和氮化鎵中的任意一種或兩種組成，不同所述子有源區發光層量子阱的氮化銦鎵中的銦元素含量不同。

5.一種如權利要求1-4中任一項所述的光學器件的制備方法，其特征在于，包括：

S1：提供襯底和封裝結構，所述封裝結構包括載體和所述激發體；

S2：在所述襯底上外延生長包括多量子阱結構在內的功能層以形成LED芯片，所述多量子阱結構被配置為分別發射不同波長范圍的光，以通過形成若干順次重疊的子連續光譜而形成所述第一連續光譜；

S3：將所述LED芯片分成至少兩個LED子芯片后設置于所述載體；

S4：將所述激發體設置于所述載體，以使發射另外不同波長范圍的光并形成第二連續光譜，所述第一連續光譜與所述第二連續光譜部分重疊，以使所述光學器件發射類太陽光的連續光譜。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述LED子芯片包括子有源區發光層量子阱，不同所述LED子芯片的不同子有源區發光層量子阱中，控制元素種類或同一元素相對于對應的所述子有源區發光層量子阱的含量不同，以使相鄰的所述子連續光譜之間部分重疊。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，通過調配不同顏色的所述熒光粉之間的配比以激發所述另外不同波長范圍的光。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述外延生長的方式包括金屬-有機化合物化學氣相沉積。