[發明專利]一種氣態三氧化二砷穩定發生與標定的裝置及方法

有效

• 申請號: 202110498163.7
• 申請日: 2021-05-08
• 公開（公告）號: CN113233502B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 趙士林;謝星宇;梁鑫;趙微;孫志強
• 申請（專利權）人: 中南大學
• 主分類號: B01D7/00
• 分類號: B01D7/00
• 代理公司: 長沙市融智專利事務所(普通合伙) 43114
• 代理人: 李金偉

1.一種氣態三氧化二砷穩定發生與標定的裝置，其特征在于，包括：

外管(1)；

內管(2)，設于所述外管(1)內，所述內管(2)和所述外管(1)之間具有間隙，所述內管(2)的底部和所述外管(1)的底部連通，所述內管(2)內用于放置定量的三氧化二砷顆粒；

加熱裝置(3)，設于所述外管(1)的外側并用于對所述外管(1)和所述內管(2)進行恒溫加熱；

供氣裝置(4)，設于所述外管(1)的外側并用于對所述外管(1)內供載氣流量恒定的載氣，所述載氣從所述外管(1)的頂部流向底部，再流入到所述內管(2)內，并將所述內管(2)內的氣態三氧化二砷帶出；以及，

吸收氣態三氧化二砷溶液裝置(5)，設于所述外管(1)的外側并與所述內管(2)連接；所述吸收氣態三氧化二砷溶液裝置(5)并列設置有至少兩組，兩組所述吸收氣態三氧化二砷溶液裝置(5)交替冷卻式吸收氣態三氧化二砷；所述內管(2)的底部設有若干間隔設置的支撐板(21)，各支撐板(21)等弧距設置，所述支撐板(21)上設有篩孔板(22)，所述三氧化二砷顆粒放置于所述篩孔板(22)上；所述外管(1)的上端面設有四根等弧距設置的進氣接口(11)，四根所述進氣接口(11)和所述供氣裝置(4)連接。

2.如權利要求1所述的一種氣態三氧化二砷穩定發生與標定的裝置，其特征在于：所述加熱裝置(3)包括保溫層(31)、加熱層(32)和溫控儀(33)，所述加熱層(32)貼合所述外管(1)設置，所述保溫層(31)設置在所述加熱層(32)外側，所述加熱層(32)和所述溫控儀(33)電連接，所述加熱層(32)內設有均勻分布若干加熱絲和溫度傳感器。

3.如權利要求2所述的一種氣態三氧化二砷穩定發生與標定的裝置，其特征在于：所述供氣裝置(4)包括氣源(41)、氣體質量流量計(42)和進氣管道(43)，所述進氣管道(43)與四根所述進氣接口(11)連接，所述氣源(41)內的載氣為惰性氣體、二氧化碳或氮氣。

4.如權利要求3所述的氣態三氧化二砷穩定發生與標定的裝置，其特征在于：所述吸收氣態三氧化二砷溶液裝置(5)包括冷卻槽(51)和置于所述冷卻槽(51)內的依次連接的三個接收瓶，其中一個所述接收瓶為空瓶，另外兩個所述接收瓶內裝有5％HNO₃和10％H₂O₂的混合吸收液，所述空瓶和所述內管(2)上的出氣接口(23)恒溫連接。

5.如權利要求4所述的氣態三氧化二砷穩定發生與標定的裝置，其特征在于：所述外管(1)、所述內管(2)、所述支撐板(21)、所述進氣接口(11)和所述出氣接口(23)均為高硼硅件。