[發明專利]一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件

有效

• 申請號: 202110495314.3
• 申請日: 2021-05-07
• 公開（公告）號: CN113238308B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 李國強
• 申請（專利權）人: 北京華光浩陽科技有限公司
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00;G02F1/35
• 代理公司: 東莞市神州眾達專利商標事務所(普通合伙) 44251
• 代理人: 周松強

本發明涉及波長轉換領域，具體提供了一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件，其特征在于，包括拓撲絕緣體和貴金屬顆粒，拓撲絕緣體的表面設有凹槽，凹槽內設有貴金屬顆粒；應用時，應用可見光波段激光垂直或傾斜照射拓撲絕緣體的表面。在入射光的照射下，貴金屬顆粒產生局域表面等離激元共振，在凹槽內形成強電場，增強了拓撲絕緣體的四波混頻效應，從而高效率地實現了波長轉換。

技術領域

本發明涉及波長轉換領域，具體涉及一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件。

背景技術

波長轉換是指將一種波長的光轉換為另外一種波長的光。波長轉換能夠實現波長的再利用，便于構成任意擴展的波分復用網絡。因此，波長轉換技術在全光通信中具有重要的作用。拓撲絕緣體材料具有寬帶非線性和高穩定性，拓撲絕緣體材料在波長轉換中具有重要的應用。但是，現有技術中波長轉換的效率低。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供了一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件，其特征在于，包括拓撲絕緣體和貴金屬顆粒，拓撲絕緣體的表面設有凹槽，凹槽內設有貴金屬顆粒；應用時，應用可見光波段激光垂直或傾斜照射拓撲絕緣體的表面。

更進一步地，凹槽為楔形。

更進一步地，在凹槽內，貴金屬顆粒置于凹槽的底部附近。

更進一步地，拓撲絕緣體的表面上還設有貴金屬顆粒。

更進一步地，在拓撲絕緣體的表面上，貴金屬顆粒為多個。

更進一步地，貴金屬顆粒的材料為金或銀。

更進一步地，貴金屬顆粒為球形。

更進一步地，拓撲絕緣體為Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Sb₂Se₃、Sb₂Te₃、InSb、Li₂IrO₃。

本發明的有益效果：本發明提供了一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件，其特征在于，包括拓撲絕緣體和貴金屬顆粒，拓撲絕緣體的表面設有凹槽，凹槽內設有貴金屬顆粒；應用時，應用可見光波段激光垂直或傾斜照射拓撲絕緣體的表面。在入射光的照射下，貴金屬顆粒產生局域表面等離激元共振，在凹槽內形成強電場，增強了拓撲絕緣體的四波混頻效應，從而高效率地實現了波長轉換。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件的示意圖。

圖2是又一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件的示意圖。

圖中：1、拓撲絕緣體；2、凹槽；3、貴金屬顆粒。

具體實施方式

為進一步闡述本發明達成預定目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及實施例對本發明的具體實施方式、結構特征及其功效，詳細說明如下。

實施例1

本發明提供了一種基于拓撲絕緣體的波長轉換器件，如圖1所示，包括拓撲絕緣體1和貴金屬顆粒3。拓撲絕緣體1為Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Sb₂Se₃、Sb₂Te₃、InSb、Li₂IrO₃。拓撲絕緣體1的表面設有凹槽2。凹槽2為楔形。凹槽2內設有貴金屬顆粒3。貴金屬顆粒3的材料為金或銀。貴金屬顆粒3為球形、長方體形或立方體形。