[發(fā)明專利]一種TaSi2 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110488058.5 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113149018A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李明偉;董國(guó)華;張慶猛;鐘業(yè)盛;楊劍民;陳均優(yōu);孫宇雷;史麗萍;赫曉東;張文治;何飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué);齊齊哈爾大學(xué);有研工程技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C01B33/06 | 分類號(hào)： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 哈爾濱華夏松花江知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯靜 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國(guó)省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 tasi base sub | ||
一種TaSi2粉體的提純方法，它涉及材料領(lǐng)域，本發(fā)明要提供一種經(jīng)濟(jì)與易于實(shí)施且提純效果佳的TaSi2粉體的提純方法。本發(fā)明方法：取TaSi2原粉體，加入濃度為1～5mol/L的KOH溶液，在室溫～90℃水浴鍋中攪拌反應(yīng)2～10h，然后用砂芯漏斗抽濾，超純水洗至中性，真空干燥后，得提純后的TaSi2粉體；其中，TaSi2原粉體和KOH溶液的質(zhì)量體積比為1g：(10～50)mL。本發(fā)明從經(jīng)濟(jì)與易于實(shí)施的角度出發(fā)，提出如下的提純處理工藝：經(jīng)過一系列的處理達(dá)到提純的效果。本發(fā)明應(yīng)用TaSi2粉體領(lǐng)域。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及材料領(lǐng)域，具體涉及一種TaSi2粉體的提純方法。
背景技術(shù)
TaSi2具有高熔點(diǎn)、低電阻率、抗腐蝕、抗高溫氧化性以及與硅、碳等基體材料具有良好的兼容性等優(yōu)異性能，可以用作一些電路元器件的涂層或者一些高溫結(jié)構(gòu)的部件等。其制備工藝通常以高純金屬Ta和Si為原料，在氫氣氣氛下高溫加熱生成。因此TaSi2原粉純度較高，但是也存在微量雜質(zhì)，微量雜質(zhì)為未反應(yīng)的Ta和Si等。因此，對(duì)該粉體提純處理主要是針對(duì)Ta、Si、SiO2和Ta2O5的有效去除，其中SiO2和Ta2O5的含量極少。
關(guān)于上述物質(zhì)的化學(xué)去除方法報(bào)道較多，鑒于Si、Ta及其氧化物具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性，通常主要是用強(qiáng)堿、強(qiáng)配位氫氟酸以及氧化性硝酸來去除，其中對(duì)Si和SiO2的去除較多采用化學(xué)刻蝕方法。與Si和SiO2相比，Ta同樣具有熔點(diǎn)高和化學(xué)穩(wěn)定性高特點(diǎn)，對(duì)其進(jìn)行選擇性化學(xué)刻蝕去除是一個(gè)難點(diǎn)。R.Hsiao等人在CF4/O2的混合氣體中采用低壓等離子體刻蝕，刻蝕速率可以達(dá)到6.0μm/min，但是會(huì)產(chǎn)生有毒氣體難以推廣應(yīng)用。B.Wu等人報(bào)道HF和HNO3混合物可以對(duì)Ta進(jìn)行選擇性刻蝕，同時(shí)也可以對(duì)Si等物質(zhì)進(jìn)行同步化學(xué)刻蝕。H.M.Da等人在Si基底沉積Ta-Pt-Ta-Au合金薄膜時(shí)指出，SiO2可以通過HF去除。Y.Yang等人制備ZrB2-SiC-TaSi2復(fù)合物，用體積比為1:1:8的HF:HNO3:H2O混合溶液化學(xué)處理上述復(fù)合物去除游離的單質(zhì)雜質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了提供一種經(jīng)濟(jì)與易于實(shí)施且提純效果佳的TaSi2粉體的提純方法。
本發(fā)明的一種TaSi2粉體的提純方法，它是按照如下方式進(jìn)行的：
取TaSi2原粉體，加入濃度為1～5mol/L的KOH溶液，在室溫～90℃水浴鍋中攪拌反應(yīng)2～10h，然后用砂芯漏斗抽濾，超純水洗至中性，真空干燥后，得提純后的TaSi2粉體；
其中，TaSi2原粉體和KOH溶液的質(zhì)量體積比為1g：(10～50)mL。
進(jìn)一步地，所述的KOH溶液濃度為2～4mol/L。
進(jìn)一步地，所述的KOH溶液濃度為3～5mol/L。
進(jìn)一步地，所述的TaSi2原粉體和KOH溶液的質(zhì)量體積比為1g：(20～40)mL。
進(jìn)一步地，所述的TaSi2原粉體和KOH溶液的質(zhì)量體積比為1g：(10～30)mL。
進(jìn)一步地，所述的反應(yīng)溫度為室溫～70℃。
進(jìn)一步地，所述的反應(yīng)溫度為30～50℃。
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