[發明專利]一種填谷電路在審
| 申請號: | 202110482342.1 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN113328616A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 廣州金升陽科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/42 | 分類號: | H02M1/42;H02M7/219;H02M1/32;H02J3/32;H02J7/34;H02J3/12;H02H9/02 |
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| 地址: | 510670 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電路 | ||
1.一種填谷電路,應用于寬壓輸入范圍下的開關電源,其特征在于,包括:第一儲能單元(C1)、第二儲能單元(C2)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)以及開關(S1);
第一儲能單元C1的第一端連接輸入端口(VIN)和第三二極管(D3)的陰極,第一儲能單元(C1)的第二端連接第一二極管(D1)的陰極和第二開關管(D2)的陽極,第一二極管(D1)的陽極連接地,開關(S1)與第一二極管(D1)進行并聯,第二二極管(D2)的陰極連接第三二極管(D3)的陽極和第二儲能單元(C2)的第一端,第二儲能單元(C2)的第二端連接第一二極管(D1)的陽極和地,第三二極管(D3)的陰極連接輸出端口(VOUT)。
2.一種填谷電路,應用于寬壓輸入范圍下的開關電源,其特征在于,包括:第一儲能單元(C1)、第二儲能單元(C2)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)以及開關(S1);
第一儲能單元(C1)的第一端連接輸入端口(VIN)和第三二極管(D3)的陰極,第一儲能單元(C1)的第二端連接第一二極管(D1)的陰極和第二開關管(D2)的陽極,第一二極管(D1)的陽極連接地,第二二極管(D2)的陰極連接第三二極管(D3)的陽極和第二儲能單元(C2)的第一端,開關(S1)與第三二極管(D3)進行并聯,第二儲能單元(C2)的第二端連接第一二極管(D1)的陽極和地,第三二極管(D3)的陰極連接輸出端口(VOUT)。
3.根據權利要求1-2任一項所述的改進型填谷電路,其特征在于:開關(S1)為MOS管、繼電器、三極管、晶閘管或IGBT;第一儲能單元C1和第二儲能單元C2為電容或電感,第一儲能單元C1和第二儲能單元C2為電容時,第一儲能單元C1和第二儲能單元C2的容值相同;第一儲能單元C1和第二儲能單元C2為電感時,第一儲能單元C1和第二儲能單元C2的電感量相同。
4.一種填谷電路,應用于寬壓輸入范圍下的開關電源,其特征在于,包括:第一儲能單元(C1)、第二儲能單元(C2)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第三二極管(D3)、第一開關(S1)、第二開關(S2);
第一儲能單元(C1)的第一端連接輸入端口(VIN)和第三二極管(D3)的陰極,第一儲能單元(C1)的第二端連接第一二極管(D1)的陰極和第二開關管(D2)的陽極,第一二極管(D1)的陽極連接地,第一開關(S1)與第一二極管(D1)進行并聯,第二二極管(D2)的陰極連接第三二極管(D3)的陽極和第二儲能單元(C2)的第一端,第二儲能單元電容(C2)的第二端連接第一二極管(D1)的陽極和地,第二開關(S2)與第三二極管(D3)并聯,第三二極管(D3)的陰極連接輸出端口(VOUT)。
5.根據權利要求4所述的改進型填谷電路,其特征在于:第一開關(S1)和第二開關(S2)為同時開通和同時關閉,或只開通第一開關(S1),第二開關(S2)不開通,或只開通第二開關(S2),第一開關(S1)不開通。
6.一種填谷電路,應用于寬壓輸入范圍下的開關電源,其特征在于,包括:第一儲能單元(C1)、第二儲能單元(C2)、開關管(Q1)、第一二極管(D1)以及第二二極管(D2);
第一儲能單元(C1)的第一端連接輸入端口(VIN)和第二二極管(D2)的陰極,第一儲能單元(C1)的第二端連接開關管(Q1)的漏極和第一開關管(D1)的陽極,開關管(Q1)的源極連接地,第一二極管(D1)的陰極連接第二二極管(D2)的陽極和第二儲能單元(C2)的第一端,第二儲能單元(C2)的第二端連接開關管(Q1)的源極和地,第二二極管(D2)的陰極連接輸出端口(VOUT)。
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