[發(fā)明專利]用于等離子弧切割系統(tǒng)的可消耗筒在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110481960.4 | 申請(qǐng)日： | 2015-05-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113275718A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | N.A.桑德斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海別得公司 |
| 主分類號(hào)： | B23K10/00 | 分類號(hào)： | B23K10/00;H05H1/28;H05H1/34 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張小文;張一舟 |
| 地址： | 美國(guó)新罕*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 等離子 切割 系統(tǒng) 消耗 | ||
1.一種用于等離子弧焊炬的可替換密封筒構(gòu)件，所述可替換密封筒構(gòu)件包括：
基本中空框架，其包括具有第一端部的第一基本中空部分和具有第二端部的第二基本中空部分，所述第一端部和所述第二端部限定通過所述第一端部和所述第二端部的縱向軸線，所述基本中空框架的所述第一端部配置為與所述等離子弧焊炬配合；
弧發(fā)射器，其滑動(dòng)地至少部分地定位并設(shè)置在所述框架之內(nèi)，所述弧發(fā)射器能夠相對(duì)于所述框架平移；
彈性元件，其位于所述框架之內(nèi)并且與所述框架物理連通，所述彈性元件定位為與所述弧發(fā)射器同軸，并且在沿著所述縱向軸線的方向上向著所述第二端部偏壓所述弧發(fā)射器，以便于在所述弧發(fā)射器處或附近點(diǎn)火；以及
導(dǎo)電接觸元件，其固定在所述框架的所述第一端部處，所述彈性元件位于所述弧發(fā)射器和所述導(dǎo)電接觸元件之間；
其中，所述可替換密封筒構(gòu)件配置為在所述可替換密封筒構(gòu)件的任何構(gòu)成部件到達(dá)使用壽命終點(diǎn)之后作為一單元被替換。
2.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，其中，所述第一基本中空部分和所述第二基本中空部分在界面處連結(jié)以形成所述基本中空框架，所述界面提供使所述第一基本中空部分和所述第二基本中空部分固定在一起的聯(lián)接力。
3.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，其中，所述彈性元件和所述弧發(fā)射器的至少一部分不可拆卸地設(shè)置在所述基本中空框架之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，其中，所述可替換密封筒構(gòu)件具有熱導(dǎo)率在大約200-400瓦特每米每開氏度之間的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，進(jìn)一步包括帽插件，所述帽插件連接到所述可替換密封筒構(gòu)件的所述第二基本中空部分，所述帽插件大體使所述弧發(fā)射器取向并將所述弧發(fā)射器保持在所述基本中空框架之內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，其中，所述基本中空框架包括電絕緣體。
7.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，其中，所述基本中空框架包括金屬或強(qiáng)導(dǎo)熱材料中的至少一者。
8.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，進(jìn)一步包括至少一組流動(dòng)孔，該組流動(dòng)孔中的每一流動(dòng)孔從其他流動(dòng)孔徑向偏移。
9.如權(quán)利要求1所述的可替換密封筒構(gòu)件，其中，所述弧發(fā)射器包括電極，并且所述彈性元件包括彈簧。
10.一種用于等離子弧焊炬的可替換整體式可消耗組件，所述可消耗組件包括：
筒本體，其具有第一部段和第二部段，所述第一部段和所述第二部段形成基本中空腔室；
電極，其至少部分地被包含在所述基本中空腔室之內(nèi)，并且能夠相對(duì)于所述筒本體平移；
接觸啟動(dòng)彈簧元件，其固定在所述筒本體的所述第一部段處，所述接觸啟動(dòng)彈簧元件賦予向著所述筒本體的所述第二部段偏壓所述電極的分離力；以及
導(dǎo)電接觸元件，其至少部分地被保持在所述筒本體的所述第一部段之內(nèi)，所述接觸啟動(dòng)彈簧元件位于所述電極和所述導(dǎo)電接觸元件之間。
11.如權(quán)利要求10所述的可替換整體式可消耗組件，其中，所述接觸啟動(dòng)彈簧元件和所述電極的至少一部分不可拆卸地設(shè)置在所述基本中空腔室之內(nèi)。
12.如權(quán)利要求10所述的可替換整體式可消耗組件，其中，所述可消耗組件具有熱導(dǎo)率在大約200-400瓦特每米每開氏度之間的區(qū)域。
13.如權(quán)利要求10所述的可替換整體式可消耗組件，進(jìn)一步包括帽插件，所述帽插件連接到所述筒本體的所述第二部段，所述帽插件大體使所述電極取向并將所述電極保持在所述筒本體之內(nèi)。
14.如權(quán)利要求10所述的可替換整體式可消耗組件，其中，所述筒本體包括電絕緣體。
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