[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備及其承載裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110481501.6 | 申請日: | 2021-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN113192876A | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊依龍;劉學(xué)濱 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體設(shè)備 及其 承載 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備的承載裝置,其特征在于,包括承載部(100)、保護(hù)環(huán)(300)和多個(gè)絕緣支撐件(400),其中:
所述承載部(100)包括承載本體(110)和圍繞所述承載本體(110)設(shè)置的外延部(120),所述外延部(120)與所述承載本體(110)相連,所述承載本體(110)用于承載半導(dǎo)體待加工件(700);
每個(gè)所述絕緣支撐件(400)具有支撐面,所述保護(hù)環(huán)(300)通過與多個(gè)所述絕緣支撐件(400)的所述支撐面接觸支撐于所述外延部(120)上,且多個(gè)所述絕緣支撐件(400)設(shè)于所述保護(hù)環(huán)(300)與所述承載部(100)之間,以使所述保護(hù)環(huán)(300)與所述承載部(100)之間形成第一間隙(A)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述絕緣支撐件(400)包括第一支撐段(410),所述外延部(120)開設(shè)有第一定位孔(121),所述第一支撐段(410)與所述第一定位孔(121)通過間隙配合的方式實(shí)現(xiàn)定位配合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載裝置,其特征在于,所述絕緣支撐件(400)包括第二支撐段(420),所述第二支撐段(420)與所述第一支撐段(410)相連,所述保護(hù)環(huán)(300)開設(shè)有第二定位孔(310),所述第二支撐段(420)與所述第二定位孔(310)定位配合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載裝置,其特征在于,所述第一支撐段(410)在所述絕緣支撐件(400)上的正投影為第一投影,所述第二支撐段(420)在所述絕緣支撐件(400)上的正投影為第二投影,所述第二投影的面積小于所述第一投影的面積,所述第一支撐段(410)與所述第二支撐段(420)相連的表面包括圍繞所述第二支撐段(420)的第一環(huán)形面(421),所述第一環(huán)形面(421)為所述支撐面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的承載裝置,其特征在于,所述第二定位孔(310)為條形孔,所述條形孔的至少一端與所述第二支撐段(420)之間形成第二間隙(B)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載裝置還包括壓環(huán)(500),所述壓環(huán)(500)通過接觸支撐于所述保護(hù)環(huán)(300)上,所述承載裝置還包括多個(gè)金屬限位結(jié)構(gòu)件(600),多個(gè)所述金屬限位結(jié)構(gòu)件(600)與所述保護(hù)環(huán)(300)絕緣設(shè)置;所述金屬限位結(jié)構(gòu)件(600)包括相互連接的固定部(630)和限位帽(610),所述保護(hù)環(huán)(300)上設(shè)置有容置槽(320),所述限位帽(610)位于所述容置槽(320)中,且所述限位帽(610)與所述容置槽(320)的底壁之間形成第三間隙(C),且所述限位帽(610)與所述保護(hù)環(huán)(300)可在所述絕緣支撐件(400)朝向所述保護(hù)環(huán)(300)的方向限位配合,所述固定部(630)穿過所述容置槽(320)的底壁,且與所述外延部(120)固定連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的承載裝置,其特征在于,所述金屬限位結(jié)構(gòu)件(600)還包括連接段(620),所述連接段(620)的兩端分別與所述限位帽(610)和所述固定部(630)固定相連,所述容置槽(320)的底面開設(shè)有通孔(330),所述通孔(330)的直徑小于所述限位帽(610)的直徑,所述連接段(620)穿過所述通孔(330),且所述連接段(620)的外周面與所述通孔(330)的孔壁之間形成第四間隙(D)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的承載裝置,其特征在于,所述連接段(620)包括朝向所述外延部(120)的端面設(shè)置的第二環(huán)形面(620a),所述第二環(huán)形面(620a)圍繞所述固定部(630)設(shè)置,所述第二環(huán)形面(620a)與所述外延部(120)限位接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的承載裝置,其特征在于,所述外延部(120)開設(shè)有螺紋孔(122),所述固定部(630)與所述螺紋孔(122)螺紋配合。
10.一種半導(dǎo)體設(shè)備,其特征在于,包括反應(yīng)腔室和權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的承載裝置,所述承載裝置設(shè)置在所述反應(yīng)腔室內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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