[發(fā)明專利]一種二維材料阻變存儲器及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110481388.1
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113241406B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫堂友;涂杰;劉云;石卉;李海鷗;傅濤;劉興鵬;王陽培華;肖功利;張法碧
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號: H10N70/20
• 分類號: H10N70/20
• 代理公司: 桂林文必達(dá)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 45134
• 代理人: 白洪

1.一種二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

使用lift-off工藝加工第一襯底，得到第一樣片；

對第二襯底進(jìn)行二維材料成膜處理；

將第二襯底上的二維材料膜通過濕法轉(zhuǎn)移到所述第一樣片上，得到第二樣片；

在所述第二樣片上沉積頂電極；

對第二襯底進(jìn)行二維材料成膜處理的步驟包括：配置二維材料的懸濁液，將所述懸濁液先水浴超聲處理，然后離心處理，得到第一懸濁液；

將第二襯底固定在容器中，倒入去離子水，并淹沒所述第二襯底；

將所述第一懸濁液的上清液倒入所述容器中，形成混合溶液；

對所述容器超聲處理，然后靜置，所述混合溶液液面上形成二維材料膜；

打開容器底部的排水開關(guān)，待所述混合溶液的液面下降，所述第二襯底承接所述二維材料膜；

將單拋硅片蓋在所述二維材料膜上，用塑料膜蓋在所述單拋硅片的上面，并用蠟密封四周，得到第三樣片；

將所述第三樣片烘干后加壓處理，然后撤去所述蠟和所述塑料膜進(jìn)行退火處理。

2.如權(quán)利要求1所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，使用lift-off工藝加工第一襯底，得到第一樣片的步驟包括：

在第一襯底上光刻出電極圖形；

在所述第一襯底上沉積底電極，然后通過去膠處理將所述底電極留在所述第一襯底上，得到第一樣片。

3.如權(quán)利要求2所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，在所述第一襯底上沉積底電極的步驟中：

采用濺射工藝或者蒸發(fā)蒸鍍工藝在所述第一襯底上沉積底電極。

4.如權(quán)利要求3所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，將所述懸濁液先水浴超聲處理，然后離心處理，得到第一懸濁液的步驟中：

用有機溶液配置所述二維材料的懸濁液；

水浴超聲處理的時間為6h～12h；

以8000RPM～20000RPM的轉(zhuǎn)速離心處理1h～2h。

5.如權(quán)利要求3所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，將第二襯底固定在容器中，倒入去離子水，并淹沒所述第二襯底的步驟中：

所述去離子水的液面高于所述襯底0.25cm～1cm。

6.如權(quán)利要求3所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，將所述第一懸濁液的上清液倒入所述容器中的步驟中：

選取1/4～1/3的所述第一懸濁液的上清液，并滴入所述容器中。

7.如權(quán)利要求3所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，將所述第三樣片加壓處理的步驟中：

對所述第二樣片通過機械或者增壓的方式壓緊。

8.如權(quán)利要求1所述的二維材料憶阻器制備方法，其特征在于，在所述第二樣片上沉積所述頂電極的步驟中：

利用掩膜版并通過濺射或者蒸發(fā)蒸鍍工藝沉積頂電極。

9.采用如權(quán)利要求1所述的二維材料憶阻器制備方法制備的二維材料憶阻器，其特征在于，

包括所述第一襯底、所述底電極、所述二維材料膜和所述頂電極，所述底電極與所述第一襯底固定連接，并位于所述第一襯底的頂部，所述頂電極與所述底電極通過所述二維材料膜固定連接，并位于所述底電極的頂部。