[發(fā)明專利]摻雜型過渡金屬硫族化合物薄膜及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110481322.2
• 申請日: 2021-04-30
• 公開（公告）號: CN113201723B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉碧錄;賴泳爵;蔡正陽
• 申請（專利權(quán)）人: 清華-伯克利深圳學(xué)院籌備辦公室
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/44;C23C16/02
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 張建珍

1.摻雜型過渡金屬硫族化合物薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，所述襯底的內(nèi)部具有過渡金屬源，所述襯底的表面具有異質(zhì)金屬源；

將硫族元素源與所述襯底接觸，在保護(hù)性氣氛中加熱處理，發(fā)生化學(xué)氣相沉積反應(yīng)，得到摻雜型過渡金屬硫族化合物薄膜；

其中，所述過渡金屬源為鉬源、鎢源中的任一種；所述異質(zhì)金屬源選自釩源、鐵源、鉻源、錸源、鈮源、錳源、鈷源、鑭源中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硫族元素源為硫源、硒源、碲源中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的制備方法，其特征在于，所述異質(zhì)金屬源與過渡金屬源的摩爾比為(1～100)：1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為鈉鈣玻璃襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的制備方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度設(shè)置為200～1000℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的制備方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的生長壓力設(shè)置為0.05～1000Torr。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的制備方法，其特征在于，所述襯底的制備方法如下：

提供第一襯底和第二襯底，將所述過渡金屬源涂覆于層疊設(shè)置的所述第一襯底和所述第二襯底之間，形成夾層；

在所述夾層的表面涂覆所述異質(zhì)金屬源，得到所述襯底。

8.摻雜型過渡金屬硫族化合物薄膜，其特征在于，采用權(quán)利要求1至7任一項所述的制備方法制得。

9.權(quán)利要求8所述的摻雜型過渡金屬硫族化合物薄膜在電子器件、光學(xué)器件、光電器件、化學(xué)生物傳感器或電化學(xué)催化器件中的應(yīng)用。