[發明專利]晶圓鍵合方法、晶圓及晶圓鍵合結構

在審

• 申請號: 202110476268.2
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113206033A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 繆威
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/18;H01L29/06;H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：

提供直徑相同的器件晶圓和承載晶圓，所述器件晶圓具有第一缺口，所述承載晶圓具有第二缺口；

將所述器件晶圓和所述承載晶圓對準鍵合，鍵合后所述第二缺口在所述器件晶圓上的投影完全落入所述第一缺口內；

對所述第二缺口修邊，使修邊后的所述第二缺口與所述第一缺口重合。

2.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，修邊后的所述第二缺口與所述第一缺口的不重合誤差小于等于3μm。

3.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在所述器件晶圓和所述承載晶圓的俯視方向上，所述第一缺口和所述第二缺口均呈扇形。

4.如權利要求3所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一缺口的對稱軸和所述第二缺口的對稱軸重合時，所述第一缺口對應的扇形弧長比所述第二缺口對應的扇形弧長大850μm～1030μm。

5.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一缺口對應的扇形圓心角為89°～95°，所述第一缺口對應的扇形半徑為1100μm±35μm，所述第一缺口對應的扇形弧長為1670μm～1780μm。

6.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第二缺口對應的扇形圓心角為89°～95°，所述第二缺口對應的扇形半徑為500μm±20μm，所述第二缺口對應的扇形弧長為750μm～820μm。

7.如權利要求1至6任意一項所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，將所述器件晶圓和所述承載晶圓對準鍵合后，所述器件晶圓的中心軸與所述承載晶圓的中心軸重合。

8.如權利要求1至6任意一項所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，將所述器件晶圓和所述承載晶圓對準鍵合包括：

先將所述器件晶圓和所述承載晶圓粘合，再進行退火工藝實現共價鍵鍵合。

9.如權利要求1至6任意一項所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述承載晶圓上不設置有元件圖形。

10.如權利要求1至6任意一項所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，對所述第二缺口修邊采用激光切割或研磨刀研磨。

11.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第二缺口對應的扇形圓心角為89°～95°，所述第二缺口對應的扇形半徑為500μm±50μm。

12.一種晶圓鍵合結構，其特征在于，包括：

直徑相同的器件晶圓和承載晶圓，所述器件晶圓和所述承載晶圓鍵合且具有相同的缺口，所述缺口呈扇形，所述缺口對應的扇形圓心角為89°～95°，所述缺口對應的扇形半徑為1100μm±35μm，所述缺口對應的扇形弧長為1670μm～1780μm。

13.一種晶圓，其特征在于：所述晶圓包括缺口，所述缺口對應的扇形圓心角為89°～95°，所述缺口對應的扇形半徑為500μm±50μm。

14.如權利要求13所述的晶圓，其特征在于，所述缺口對應的扇形半徑為500μm±20μm，所述缺口對應的扇形弧長為750μm～820μm。