[發明專利]一種電容結構、半導體器件以及電容結構制備方法

在審

• 申請號: 202110474434.5
• 申請日: 2021-04-29
• 公開（公告）號: CN113206197A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 陳敏騰;鐘定邦
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L23/64
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種電容結構，其特征在于，包括：

下電極；

依次形成在所述下電極上的電容介電結構、第一非金屬氮化物層和上電極。

2.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第一非金屬氮化物層包括氮化硼層和/或硅硼氮層。

3.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述電容結構還包括：

第二非金屬氮化物層，所述第二非金屬氮化物層設置在所述下電極和所述電容介電結構之間。

4.根據權利要求3所述的電容結構，其特征在于，所述第二非金屬氮化物層和所述第一非金屬氮化物層的厚度不同。

5.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第一非金屬氮化物層的厚度小于所述電容介電結構的厚度。

6.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述電容介電結構包括堆疊結構。

7.根據權利要求6所述的電容結構，其特征在于，所述電容介電結構包括以下至少兩種材料的堆疊結構：氧化鋯、氧化鋁、氧化鉿和氧化鈦。

8.根據權利要求7所述的電容結構，其特征在于，所述電容介電結構包括依次堆疊設置的氧化鋯層、氧化鋁層和氧化鋯層。

9.根據權利要求7所述的電容結構，其特征在于，所述電容介電結構包括依次堆疊設置的氧化鈦層、氧化鉿層、氧化鋁層和氧化鉿層。

10.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述電容結構還包括：導電層，所述導電層覆蓋所述上電極。

11.一種半導體器件，其特征在于，包括：

基底；以及，

如權利要求1至10中任意一項所述的電容結構，所述電容結構設置在所述基底上。

12.一種電容結構制備方法，其特征在于，包括：

沉積下電極；

在所述下電極上依次形成電容介電結構、第一非金屬氮化物層和上電極。