[發明專利]壓力鍵合裝置、控制系統及壓力鍵合方法有效
| 申請號: | 202110463209.1 | 申請日: | 2021-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN113270343B | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 李健;韋欣;李川川;邱小浪 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/50 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 吳夢圓 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓力 裝置 控制系統 方法 | ||
1.一種壓力鍵合裝置,其特征在于,包括:
鍵合凹槽(1),用于放置鍵合輔助材料;
加壓緩沖單元(2),包括:
加壓部件(21),懸空設置于鍵合凹槽(1)上方;
引導柱(22),其下端與所述加壓部件(21)連接;
第一支撐部件(23),設置在加壓部件(21)上方;其中,所述第一支撐部件(23)上設置有至少一個支撐部件通孔(231),所述引導柱(22)貫穿支撐部件通孔(231);
緩沖部件(24),嵌套在引導柱(22)外側,且位于加壓部件(21)與第一支撐部件(23)之間,用于為所述加壓部件(21)均勻施加壓力;
支撐柱(25),設置在第一支撐部件(23)上;以及
第一承壓部件(26),其下表面通過支撐柱(25)與第一支撐部件(23)連接,用于承接外部施加的壓力;
承壓單元(4),設置在鍵合凹槽(1)下方,用于為鍵合凹槽(1)提供支撐;
其中,所述加壓部件(21)可插入所述鍵合凹槽(1),以擠壓容納在所述鍵合凹槽(1)內的待鍵合物體,實現所述待鍵合物體的鍵合;以及
溫度調節單元(3),設置于所述鍵合凹槽(1)與所述承壓單元(4)之間,用于在壓力鍵合過程中,檢測并調節所述鍵合凹槽(1)的溫度;
其中,所述承壓單元(4),包括:
設置在溫度調節單元(3)底部的第二支撐部件(41);以及
設置在所述第二支撐部件(41)底部的第二承壓部件(42)。
2.根據權利要求1所述的壓力鍵合裝置,其特征在于,
所述加壓部件(21)上設置有第一凹槽,所述引導柱(22)通過設置在所述第一凹槽內與加壓部件(21)固定連接;
所述第一支撐部件(23)上設置有第二凹槽(232),所述支撐柱(25)通過設置在所述第二凹槽(232)內與所述第一支撐部件(23)固定連接。
3.根據權利要求1所述的壓力鍵合裝置,其特征在于,
所述加壓部件(21)的形狀包括平板結構;
所述加壓部件(21)采用的材料包括透明材料;
所述第一支撐部件(23)的形狀包括平板結構或邊框結構;
所述緩沖部件(24)包括彈簧。
4.一種壓力鍵合控制系統,其特征在于,包括:加壓單元(7)、如權利要求1至3中任一項所述的壓力鍵合裝置、壓力檢測單元(5)和控制器(8);
所述加壓單元(7)設置在所述壓力鍵合裝置上,用于施加外部壓力;
所述壓力檢測單元(5)設置于鍵合凹槽(1)與承壓單元(4)之間,用于在壓力鍵合過程中檢測鍵合凹槽(1)所承受的壓力;
所述控制器(8)分別與溫度調節單元(3)、所述壓力檢測單元(5)以及加壓單元(7)連接;
其中,所述控制器(8)接收溫度調節單元(3)檢測的溫度以及所述壓力檢測單元(5)檢測的壓力,并控制所述溫度調節單元(3)以及所述加壓單元(7)。
5.根據權利要求4所述的壓力鍵合控制系統,其特征在于,
所述壓力檢測單元(5)包括:
壓力傳感器(52),用于將所述鍵合凹槽內的壓力值轉換為電信號,并傳輸至所述控制器(8);
第一傳感器支撐塊(51),設置在所述壓力傳感器(52)頂部;以及
第二傳感器支撐塊(53),設置在所述壓力傳感器(52)底部。
6.根據權利要求4所述的壓力鍵合控制系統,其特征在于,還包括:
設置在第一承壓部件(26)底部的監控單元(6),用于監控壓力鍵合過程。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所,未經中國科學院半導體研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110463209.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





