[發明專利]基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器

在審

• 申請號: 202110462438.1
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113161758A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 謝桐;楊俊波;張振榮;陳丁博;徐艷紅
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q17/00
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 劉文博

1.基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：包括由下至上依次設置的理想電導體層(1)、介質層和雙金屬圓環，介質層內設置石墨烯層，雙金屬圓環由同心的第一金屬圓環(2)和第二金屬圓環(3)構成。

2.如權利要求1所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的介質層有第一介質層(4)和第二介質層(5)，第一介質層(4)與理想電導體層(1)相觸，第二介質層(5)與雙金屬圓環相觸，石墨烯層位于第一介質層(4)和第二介質層(5)之間。

3.如權利要求1或2所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的石墨烯層有正方形的第一石墨烯層(6)和四個長條形的第二石墨烯層(7)。

4.如權利要求3所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的四個長條形的第二石墨烯層(7)的一端均與第一石墨烯層(6)連接，四個長條形的第二石墨烯層(7)的另一端端面均與介質層的外邊緣平齊。

5.如權利要求3所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的理想電導體層(1)的中心、介質層的中心、石墨烯層的中心和雙金屬圓環的中心位于同一條豎直的直線上。

6.如權利要求1所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的介質層為二氧化硅或其它在太赫茲波段損耗角正切小于0.01的介質材料。

7.如權利要求1或2所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的理想電導體層(1)和介質層均為邊長L₅＝18～22μm的正方形，介質層的厚度H₁＝8～10μm，石墨烯層的厚度H₃＝0.34～0.5nm。

8.如權利要求7所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的第二介質層(5)的厚度H₂＝2～4μm。

9.如權利要求1所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的第一金屬圓環(2)的半徑R₁＝5.5～7μm，環寬L₃＝0.15～0.25μm，第二金屬圓環(3)的半徑R₂＝4～5μm，環寬L₃＝0.45～0.55μm，第一金屬圓環(2)和第二金屬圓環(3)的厚度H₄＝0.05～0.15μm。

10.如權利要求4所述的基于金屬與石墨烯的可調控超寬帶太赫茲吸收器，其特征在于：所述的第一石墨烯層(6)的邊長L₁＝9～11μm，第二石墨烯層(7)的寬度L₂＝1.5～2μm。