[發(fā)明專利]一種SIM卡識別方法、裝置、移動終端及存儲介質

在審

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• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN113194456A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 俞斌
• 申請（專利權）人: TCL通訊（寧波）有限公司
• 主分類號: H04W8/18
• 分類號: H04W8/18
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 朱陽波

1.一種SIM卡識別方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取預設電阻對應的電壓，根據(jù)所述電壓，確定SIM卡模塊電壓；

根據(jù)所述SIM卡模塊電壓，設置可變電阻的阻值；

獲取與所述可變電阻連接的比較器，根據(jù)所述比較器的電平狀態(tài)，確定所述SIM卡的到位狀態(tài)，以實現(xiàn)所述SIM卡的識別。

2.根據(jù)權利要求1所述的SIM卡識別方法，其特征在于，所述獲取預設電阻對應的電壓，根據(jù)所述電壓，確定SIM卡模塊電壓，包括：

獲取預設電阻所對應的電壓；

獲取預設的電壓與SIM卡模塊電壓的對應關系；

根據(jù)所述對應關系，確定與所述電壓所對應的SIM卡模塊電壓。

3.根據(jù)權利要求1所述的SIM卡識別方法，其特征在于，所述根據(jù)所述SIM卡模塊電壓，設置可變電阻的阻值，包括：

獲取與所述可變電阻所對應的調整公式；

根據(jù)所述SIM卡模塊電壓與所述調整公式，設置所述可變電阻的阻值。

4.根據(jù)權利要求3所述的SIM卡識別方法，其特征在于，所述可變電阻設置有兩個，包括可變電阻Ra以及可變電阻Rb，所述可變電阻Ra對應的調整公式為：所述可變電阻Rb對應的調整公式為：其中，R2為與Ra連接的電阻，R3為與Rb連接的電阻，T0為SIM卡模塊電壓，V2＝V_T0+1，V3＝V_T0-1，Vref為預設電阻RM一端連接的固定電壓。

5.根據(jù)權利要求4所述的SIM卡識別方法，其特征在于，所述R2為阻值固定的電阻,可變電阻Ra與R2串聯(lián)后兩端分別連接Vref、GND；R3為阻值固定的電阻,可變電阻Rb與R3串聯(lián)后兩端分別連接Vref、GND。

6.根據(jù)權利要求5所述的SIM卡識別方法，其特征在于，所述獲取與所述可變電阻連接的比較器，根據(jù)所述比較器的電平狀態(tài)，確定所述SIM卡的到位狀態(tài)，包括：

獲取所述比較器的電平狀態(tài)；

若所述電平狀態(tài)為高電平，則將對所述可變電阻的阻值進行調整，并確定所述SIM未安裝到位。

7.根據(jù)權利要求6所述的SIM卡識別方法，其特征在于，所述比較器包括有第一比較器與第二比較器，所述若所述電平狀態(tài)為高電平，則將對所述可變電阻的阻值進行調整包括：

若所述第一比較器與所述第二比較器的電平狀態(tài)均為高電平時，則對所述可變電阻的阻值進行調整。

8.一種SIM卡識別裝置，其特征在于，所述裝置包括：

電壓確定模塊，用于獲取預設電阻對應的電壓，根據(jù)所述電壓，確定SIM卡模塊電壓；

阻值設置模塊，用于根據(jù)所述SIM卡模塊電壓，設置可變電阻的阻值；

SIM卡識別模塊，用于獲取與所述可變電阻連接的比較器，根據(jù)所述比較器的電平狀態(tài)，確定所述SIM卡的到位狀態(tài)，以實現(xiàn)所述SIM卡的識別。

9.一種移動終端，其特征在于，所述移動終端包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的SIM卡識別程序，所述處理器執(zhí)行所述SIM卡識別程序時，實現(xiàn)如權利要求1-7任一項所述的SIM卡識別方法的步驟。

10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質上存儲有SIM卡識別程序，所述SIM卡識別程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)如權利要求1-7任一項所述的SIM卡識別方法的步驟。