[發明專利]大功率智能功率模塊反偏試驗方法

有效

• 申請號: 202110459227.2
• 申請日: 2021-04-27
• 公開（公告）號: CN112964958B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 李朋釗;曲赫然
• 申請（專利權）人: 深圳吉華微特電子有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 馮建華;劉曰瑩

本發明涉及智能功率模塊技術領域，尤其涉及一種大功率智能功率模塊反偏試驗方法，包括如下步驟：步驟S1：對大功率智能功率模塊的上、下橋芯片同時進行反偏試驗，或對上、下橋芯片分別進行反偏試驗；步驟S2：將大功率智能功率模塊與反偏板連接；步驟S3：將大功率智能功率模塊分別與高壓電源及低壓電源連接；步驟S4：將大功率智能功率模塊放置高溫環境內進行反偏試驗。本發明的大功率智能功率模塊反偏試驗方法實現了一具體大功率智能功率模塊進行高溫反偏試驗的方案，有利于工作人員根據該方案了解大功率智能功率模塊的可靠性，有利于保證產品的合格率，利于提升企業的信譽及生產效益。

【技術領域】

本發明涉及智能功率模塊技術領域，尤其涉及一種大功率智能功率模塊反偏試驗方法。

【背景技術】

智能功率模塊是以IGBT芯片為內核的先進混合集成的功率器件，由高速低功耗的IGBT芯片、FRD芯片和優化的門極驅動電路構成，高溫反偏試驗是功率器件老化試驗的一種，是功率器件可靠性考核必不可少的一種試驗方法。

因此，如何對大功率智能功率模塊進行高溫反偏試驗，便成為所要解決的重點。

【發明內容】

為克服上述的技術問題，本發明提供了一種大功率智能功率模塊反偏試驗方法。

本發明解決技術問題的方案是提供一種大功率智能功率模塊反偏試驗方法，包括如下步驟：

步驟S1：對大功率智能功率模塊的上、下橋芯片同時進行反偏試驗，或對上、下橋芯片分別進行反偏試驗；

步驟S2：將大功率智能功率模塊與反偏板連接；

步驟S3：將大功率智能功率模塊分別與高壓電源及低壓電源連接；

步驟S4：將大功率智能功率模塊放置高溫環境內進行反偏試驗。

優選地，所述大功率智能功率模塊為七單元大功率智能功率模塊或六單元大功率智能功率模塊。

優選地，所述高壓電源的電壓為大功率智能功率模塊的額定電壓的80％-100％。

優選地，所述低壓電源的電壓為13.5-18.5V。

優選地，所述高溫環境的溫度為120℃-150℃。

優選地，在步驟S2中，根據上、下橋進行反偏試驗的順序將大功率智能功率模塊與反偏板進行連接。

優選地，在步驟S3中，根據上、下橋進行反偏試驗的順序將大功率智能功率模塊與高壓電源及低壓電源連接。

相對于現有技術，本發明的大功率智能功率模塊反偏試驗方法具有如下優點：

根據本發明的大功率智能功率模塊反偏試驗方法，實現了一具體大功率智能功率模塊進行高溫反偏試驗的方案，有利于工作人員根據該方案了解大功率智能功率模塊的可靠性，有利于保證產品的合格率，利于提升企業的信譽及生產效益。

【附圖說明】

圖1是本發明大功率智能功率模塊反偏試驗方法的具體流程示意圖。

圖2是本發明七單元大功率智能功率模塊的具體電路示意圖。

圖3是本發明六單元大功率智能功率模塊的具體電路示意圖。

圖4是本發明七單元大功率智能功率模塊進行上、下橋反偏試驗時與高壓電源、低壓電源的具體電路連接示意圖。

圖5是本發明六單元大功率智能功率模塊進行上、下橋反偏試驗時與高壓電源、低壓電源的具體電路連接示意圖。

圖6是本發明七單元大功率智能功率模塊進行上橋芯片反偏試驗時與高壓電源、低壓電源的具體電路連接示意圖。