[發(fā)明專利]集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110451678.1 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113299646A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王培宇;黃禹軒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/088 | 分類號(hào)： | H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
1.一種集成電路(IC)結(jié)構(gòu)，包括：
柵極結(jié)構(gòu)；
源極外延結(jié)構(gòu)和漏極外延結(jié)構(gòu)，分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)上；
前側(cè)互連結(jié)構(gòu)，位于所述源極外延結(jié)構(gòu)的前側(cè)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)的前側(cè)上方；
背側(cè)介電層，位于所述源極外延結(jié)構(gòu)的背側(cè)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)的背側(cè)上方；
外延再生層，位于所述源極外延結(jié)構(gòu)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)中的第一個(gè)的所述背側(cè)上；以及
背側(cè)通孔，穿過(guò)所述背側(cè)介電層延伸至所述外延再生層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：
通孔間隔件，延伸穿過(guò)所述背側(cè)介電層并且橫向圍繞所述背側(cè)通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述通孔間隔件通過(guò)所述外延再生層與所述源極外延結(jié)構(gòu)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)中的所述第一個(gè)間隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述通孔間隔件與所述源極外延結(jié)構(gòu)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)中的所述第一個(gè)的所述背側(cè)接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述通孔間隔件也橫向圍繞所述外延再生層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：
硅化物區(qū)域，位于所述外延再生層和所述背側(cè)通孔之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：通孔間隔件，延伸穿過(guò)所述背側(cè)介電層并且橫向圍繞所述硅化物區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述硅化物區(qū)域嵌入在所述外延再生層中。
9.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：
多個(gè)溝道層，布置為以間隔開的方式彼此堆疊；
柵極結(jié)構(gòu)，圍繞所述多個(gè)溝道層的每個(gè)；
源極外延結(jié)構(gòu)和漏極外延結(jié)構(gòu)，分別位于所述多個(gè)溝道層的相對(duì)端面上；
前側(cè)互連結(jié)構(gòu)，位于所述源極外延結(jié)構(gòu)的前側(cè)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)的前側(cè)上方；
背側(cè)通孔，位于所述源極外延結(jié)構(gòu)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)中的第一個(gè)的背側(cè)上方；以及
外延再生層，位于所述背側(cè)通孔與所述源極外延結(jié)構(gòu)和所述漏極外延結(jié)構(gòu)中的所述第一個(gè)之間。
10.一種形成集成電路結(jié)構(gòu)的方法，包括：
在襯底上方形成晶體管，所述晶體管包括第一源極/漏極外延結(jié)構(gòu)、第二源極/漏極外延結(jié)構(gòu)以及橫向位于所述第一源極/漏極外延結(jié)構(gòu)和所述第二源極/漏極外延結(jié)構(gòu)之間的柵極結(jié)構(gòu)；
至少去除所述襯底的部分以暴露所述晶體管的背側(cè)；
在所述晶體管的暴露的背側(cè)上方形成背側(cè)介電層；
在所述背側(cè)介電層中形成背側(cè)通孔開口以暴露所述晶體管的所述第一源極/漏極外延結(jié)構(gòu)的背側(cè)；
在所述晶體管的所述第一源極/漏極外延結(jié)構(gòu)的所述暴露的背側(cè)上方形成外延再生層；以及
在所述背側(cè)通孔開口中并且在所述外延再生層上方形成背側(cè)通孔。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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