[發(fā)明專利]一種納米錐光譜分析器件及光譜分析方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110451210.2 | 申請日： | 2021-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN113175992B | 公開（公告）日： | 2023-01-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王軍轉(zhuǎn);孫浚凱;施毅 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京大學(xué) |
| 主分類號： | G01J3/12 | 分類號： | G01J3/12;G01J3/28;G01J3/42 |
| 代理公司： | 南京樂羽知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李培 |
| 地址： | 210000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 光譜分析 器件 方法 | ||
1.一種納米錐光譜分析器件，其特征在于，包括襯底、平放于襯底上的納米錐臺及分布于所述納米錐臺上的一組電極；所述納米錐臺的頂半徑記做r1，為入射光入射端口半徑；所述納米錐臺的底半徑記做r2，為納米錐臺的底端半徑，所述納米錐臺的長度記做L；所述頂半徑長度r1及底半徑長度r2的數(shù)值均為數(shù)百納米以內(nèi)，長度L為數(shù)微米長，所述頂半徑長度r1至多為底半徑長度r2的二分之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米錐光譜分析器件，其特征在于：所述納米錐臺的材料為非晶硅、鍺、氧化鋅或硫化鎘均勻單一的半導(dǎo)體材料。
3.一種納米錐器件的光譜分析方法，采用權(quán)利要求1所述的納米錐光譜分析器件，其特征在于，包括以下步驟：
第一步，在納米錐臺的光譜范圍內(nèi)，沿納米錐臺軸向從尖端耦合入射已確定且不同波長的入射光；
第二步，由于回音壁模式效應(yīng)，納米錐臺利用自身腔模式，將不同波長的光吸收拘束在納米錐臺內(nèi)沿軸線方向不同的位置上；
第三步，測量不同波長的光所在不同位置處的電流，得到納米錐光譜分析器件的歸一化響應(yīng)譜R（λ）；
第四步，將未知波長的待測光從納米錐臺尖端耦合入射，測量實(shí)際得到的光電流Ii，利用歸一化吸收譜與器件實(shí)際測量得到的光電流Ii進(jìn)行光譜重構(gòu)，根據(jù)方程，即可重構(gòu)確定入射光波長F（λ）。
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