[發明專利]能夠改善111晶向晶棒切割warp值的定向多線切割方法

有效

• 申請號: 202110446789.3
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113119327B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 趙延祥;歷莉;劉波;程博;王忠保
• 申請（專利權）人: 寧夏中欣晶圓半導體科技有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04
• 代理公司: 寧夏三源鑫知識產權代理事務所(普通合伙) 64105
• 代理人: 孫彥虎

本發明提供一種能夠改善111晶向晶棒切割warp值的定向多線切割方法，屬于單晶硅切片技術領域。在111晶向上，以預定旋轉角θsubgt;0/subgt;進行切割，所述預定旋轉角θsubgt;0/subgt;為0°±5°、60°±5°或?60°±5°。該方法能夠顯著降低硅片的warp值，顯著降低批次間的warp值波動，且有利于改善硅片的面方位精度。

技術領域

本發明屬于單晶硅切片技術領域，具體涉及一種能夠改善111晶向晶棒切割warp值的定向多線切割方法。

背景技術

多線切割具有高效、低成本以及能很好地適應單晶硅棒直徑越來越大的特點，在硅片加工中得到了廣泛的應用，已經成為硅片加工中最重要的手段。切片過程中，需要控制硅片的warp、TTV、BOW以及局部平坦度等重要參數，傳統的多線切割方式獲得的切片warp值較大，且批次間切片warp值波動較大。

定晶向的多線切割方式有利于改善單晶硅切片的warp值，如專利號為201711037057.9的中國發明專利公開了一種111型單晶硅定晶向多線切割工藝，先通過X射線定向儀確定111型單晶硅徑向的[1-10]、[-110]、[01-1]、[0-11]、[10-1]、[-110]六個晶向位置，然后在粘棒過程中，通過旋轉單晶棒，使得其中任意一個晶向垂直于粘棒托進行粘結，切割時，切割線即能沿著該晶向方向進行切割。通過上述方法，能夠減小單晶硅切片warp值約4-8μm。

然而，由于在單晶拉制的過程中，存在晶向偏離，導致在多線切割時，刀片可能從任意旋轉角處切入，雖然一定程度地降低了硅片warp值，但warp值不穩地，多批次硅片的warp值波動較大，且硅片的面方位精度無法得到有效保證，面方位偏離容易大于0.29°的行業普遍要求，導致硅片合格率下降。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種能夠改善111晶向晶棒切割warp值的定向多線切割方法，以解決現有技術中單晶硅切片時，從任意旋轉角處切入，存在硅片warp值批次間波動較大，面方位精度無法保障的技術問題。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種能夠改善111晶向晶棒切割warp值的定向多線切割方法，在111晶向上，以預定旋轉角θ₀進行切割，所述預定旋轉角θ₀為0°±5°、60°±5°或-60°±5°。

優選地，所述能夠改善111晶向晶棒切割warp值的定向多線切割方法包括以下步驟：

a.選取參考面；

b.獲取111晶向的晶向偏離度；

c.根據晶向偏離度，計算晶棒的測定旋轉角θ₁、測定擺角β₁；

d.根據測定旋轉角θ₁及預定旋轉角θ₀，計算補充擺角Δβ；

e.根據測定擺角β₁與補充擺角Δβ，計算實際擺角β₀；

f.根據預定旋轉角θ₀與實際擺角β₀，旋轉晶棒，進行接著固定，并完成切片。

優選地，步驟e中，所述“根據測定擺角β₁與補充擺角Δβ，計算實際擺角β₀”包括以下步驟：

e1.根據測定旋轉角θ₁及預定旋轉角θ₀，確定旋轉方向；

e2.計算實際擺角β₀：

若旋轉方向為順時針，則β₀＝β₁+Δβ；