[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110445269.0
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113903741A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳丞昱;孫成勛;李起洪
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/532
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

本發(fā)明涉及高度集成的存儲器單元和具有所述存儲器單元的半導(dǎo)體器件。根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括：多個存儲器單元，所述多個存儲器單元垂直地層疊在基礎(chǔ)襯底上，所述多個存儲器單元中的每一個包括：位線，其從所述基礎(chǔ)襯底垂直地定向；電容器，其與所述位線水平地間隔開；有源層，其被水平地定向在所述位線與所述電容器之間；字線，其位于所述有源層的上表面和下表面中的至少一個上，并且在與所述有源層交叉的方向上水平地延伸；以及覆蓋層，其位于所述字線與所述位線之間，并且包括低k材料和氣隙中的至少一種。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2020年7月7日提交的申請?zhí)枮?0-2020-0083557的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實施例涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地，涉及存儲器單元和包括所述存儲器單元的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

近來，為了增大存儲器件的凈裸片，存儲器單元已經(jīng)持續(xù)地縮小。

盡管縮小的存儲器單元應(yīng)該使得寄生電容(Cb)減小和電容增加，但是由于存儲器單元的結(jié)構(gòu)限制而難以增大凈裸片。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的實施例，提供了高度集成的存儲器單元以及具有所述存儲器單元的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括：多個存儲器單元，其垂直地層疊在基礎(chǔ)襯底上，所述多個存儲器單元中的每一個包括：位線，其從所述基礎(chǔ)襯底垂直地定向；電容器，其與所述位線水平地間隔開；有源層，其被水平地定向在所述位線和所述電容器之間；字線，其位于所述有源層的上表面和下表面中的至少一個上，并且在與所述有源層交叉的方向上水平地延伸；以及覆蓋層，其位于在所述字線與所述位線之間，并且包括低k材料和氣隙中的至少一種。

根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括：基礎(chǔ)襯底，其包括外圍電路單元；位線，從所述基礎(chǔ)襯底垂直地定向；字線，其與所述位線和所述基礎(chǔ)襯底間隔開，并且在與所述位線交叉的方向上水平地延伸；以及覆蓋層，其包括位于所述字線與所述位線之間的氣隙。

根據(jù)一個實施例，半導(dǎo)體器件包括：位線，其從基礎(chǔ)襯底在第一方向上垂直地延伸；電容器，其沿著與所述基礎(chǔ)襯底平行的第二方向與所述位線間隔開；有源層，其沿著從所述位線到所述電容器的第二方向水平地延伸；字線，其位于所述位線與所述電容器之間，并且在第三方向上水平地延伸而與所述有源層接觸；以及覆蓋層，其位于所述字線與所述位線之間，其中，所述覆蓋層包括低k材料和氣隙。

所述覆蓋層可以包括第一氧化硅層和包圍所述第一氧化硅層的第二氧化硅層。所述第一氧化硅層可以包括氣隙嵌入的摻雜碳的氧化硅，并且所述第二氧化硅層可包括無摻雜碳的氧化硅。

所述覆蓋層可以包括氧化硅層和包圍所述氧化硅層的氮化硅層。所述氧化硅層可以包括氣隙嵌入的摻雜碳的氧化硅，并且氮化硅層可以包括無摻雜碳的氮化硅。

根據(jù)本公開的實施例，所述覆蓋層形成在所述位線與所述字線之間。因此，可以在所述位線與所述字線之間確保足夠的物理距離。

根據(jù)本公開的實施例，可以通過內(nèi)襯材料來抑制接縫的橫向遷移。因此，可以防止字線的穿孔。

根據(jù)本公開的實施例，低k材料和氣隙形成在所述位線與所述字線之間。因此，可以減小在所述位線與所述字線之間的寄生電容。

附圖說明

圖1A是示出根據(jù)本公開的一個實施例的半導(dǎo)體器件的立體圖。

圖1B是沿著圖1A的線A-A’截取的布局。

圖1C是沿著圖1B的線B-B’截取的截面圖。

圖1D是示意性地示出覆蓋層CPL的立體圖。

圖2是根據(jù)本公開的一個實施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。