[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110445269.0
• 申請日: 2021-04-25
• 公開（公告）號: CN113903741A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳丞昱;孫成勛;李起洪
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/532
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

1.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

多個存儲器單元，所述多個存儲器單元垂直地層疊在基礎(chǔ)襯底上；

所述多個存儲器單元中的每一個包括：

位線，其從所述基礎(chǔ)襯底垂直地定向；

電容器，其與所述位線水平地間隔開；

有源層，其被水平地定向在所述位線與所述電容器之間；

字線，其位于所述有源層的上表面和下表面中的至少一個上，并且在與所述有源層交叉的方向上水平地延伸；以及

覆蓋層，其位于所述字線與所述位線之間，并且包括低k材料和氣隙中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層被水平地定向在所述位線與所述字線之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述覆蓋層包括：

第一內(nèi)襯材料，其在所述位線與所述字線之間；以及

第二內(nèi)襯材料，其被所述第一內(nèi)襯材料包圍并且包括所述低k材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述低k材料包括相對于所述第一內(nèi)襯材料具有刻蝕選擇性的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述低k材料包括摻雜碳的材料，并且其中，所述第一內(nèi)襯材料包括氧化硅或氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述低k材料包括：碳化硅(SiC)、碳氮化硅(SiCN)或碳氧化硅(SiCO)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙與所述字線物理地間隔開，并且被嵌入在所述覆蓋層中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙直接接觸所述位線。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述基礎(chǔ)襯底包括連接至所述位線的外圍電路單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述位線是所述有源層的一部分，并且所述電容器是動態(tài)隨機存取存儲器單元陣列的一部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電容器包括：

存儲節(jié)點，其被水平地定向并且連接至所述有源層；

電介質(zhì)層，其在所述存儲節(jié)點上；以及

板式節(jié)點，其在所述電介質(zhì)層上；以及其中

所述存儲節(jié)點被成形為圓柱。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述字線包括：

上字線，其位于所述有源層的上表面之上；以及

下字線，其位于所述有源層的下表面之下，以及其中

不同的電位被施加至所述上字線和所述下字線。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述字線包括位于所述有源層的上表面上的單個字線，以及其中，

所述半導(dǎo)體器件還包括絕緣層，所述絕緣層面對所述單個字線并且位于所述有源層的下表面之下。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述字線包括包圍所述有源層的全圍柵結(jié)構(gòu)，以及其中，所述具有全圍柵結(jié)構(gòu)的字線在與所述有源層交叉的方向上伸長。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述存儲器單元從所述基礎(chǔ)襯底垂直地向上層疊。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述存儲器單元從所述基礎(chǔ)襯底垂直地向下層疊。