[發明專利]卷對卷將銅箔蝕薄的方法、裝置、計算機設備

在審

• 申請號: 202110442273.1
• 申請日: 2021-04-23
• 公開（公告）號: CN113316321A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 謝安;孫東亞;楊亮;曹春燕;李月嬋;曹光;盧向軍;周健強
• 申請（專利權）人: 廈門理工學院;廈門弘信電子科技集團股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;C23F1/18
• 代理公司: 廈門福貝知識產權代理事務所(普通合伙) 35235
• 代理人: 陳遠洋

1.一種卷對卷將銅箔蝕薄的方法，其特征在于，包括：

將銅箔片以粘著方式貼附于基板之上，以形成正、背面的銅箔層；

對所述銅箔層的正面四周進行封膠保護；

在所述經封膠保護后的銅箔層上均勻噴灑預先配置的蝕刻液；

基于所述蝕刻液，采用卷對卷方式，將所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層蝕薄達到所需要的銅箔厚度。

2.如權利要求1所述的卷對卷將銅箔蝕薄的方法，其特征在于，所述對所述銅箔層的正面進行封膠保護，包括：

采用紫外固化膠方式，對所述銅箔層的正面進行封膠保護。

3.如權利要求1所述的卷對卷將銅箔蝕薄的方法，其特征在于，所述基于所述蝕刻液，采用卷對卷方式，將所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層蝕薄達到所需要的銅箔厚度，包括：

基于所述蝕刻液，在所述蝕刻液的表面貼濕膜，所述濕膜包括第一表面，在所述第一表面上形成第一方向上延伸的多個第一凹槽，采用將所述多個第一凹槽蝕刻到所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層所需要的銅箔厚度位置的方式，將所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層蝕薄達到所需要的銅箔厚度。

4.如權利要求1所述的卷對卷將銅箔蝕薄的方法，其特征在于，在所述基于所述蝕刻液，采用卷對卷方式，將所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層蝕薄達到所需要的銅箔厚度之后，還包括：

清理所述經蝕薄達到所需要的銅箔厚度后的銅箔層上多余的蝕刻液。

5.如權利要求4所述的卷對卷將銅箔蝕薄的方法，其特征在于，所述清理所述經蝕薄達到所需要的銅箔厚度后的銅箔層上多余的蝕刻液，包括：

采用氫氧化鈉堿性脫膜的方式，清理所述經蝕薄達到所需要的銅箔厚度后的銅箔層上多余的蝕刻液。

6.一種卷對卷將銅箔蝕薄的裝置，其特征在于，包括：

貼附模塊、封膠模塊、噴灑模塊和蝕薄模塊；

所述貼附模塊，用于將銅箔片以粘著方式貼附于基板之上，以形成正、背面的銅箔層；

所述封膠模塊，用于對所述銅箔層的正面四周進行封膠保護；

所述噴灑模塊，用于在所述經封膠保護后的銅箔層上均勻噴灑預先配置的蝕刻液；

所述蝕薄模塊，用于基于所述蝕刻液，采用卷對卷方式，將所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層蝕薄達到所需要的銅箔厚度。

7.如權利要求6所述的卷對卷將銅箔蝕薄的裝置，其特征在于，所述封膠模塊，具體用于：

采用紫外固化膠方式，對所述銅箔層的正面進行封膠保護。

8.如權利要求6所述的卷對卷將銅箔蝕薄的裝置，其特征在于，所述蝕薄模塊，具體用于：

基于所述蝕刻液，在所述蝕刻液的表面貼濕膜，所述濕膜包括第一表面，在所述第一表面上形成第一方向上延伸的多個第一凹槽，采用將所述多個第一凹槽蝕刻到所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層所需要的銅箔厚度位置的方式，將所述均勻噴灑蝕刻液后的銅箔層蝕薄達到所需要的銅箔厚度。

9.如權利要求6所述的卷對卷將銅箔蝕薄的裝置，其特征在于，所述卷對卷將銅箔蝕薄的裝置，還包括：

清理模塊；

所述清理模塊，用于清理所述經蝕薄達到所需要的銅箔厚度后的銅箔層上多余的蝕刻液。

10.如權利要求9所述的卷對卷將銅箔蝕薄的裝置，其特征在于，所述清理模塊，具體用于：

采用氫氧化鈉堿性脫膜的方式，清理所述經蝕薄達到所需要的銅箔厚度后的銅箔層上多余的蝕刻液。