[發(fā)明專利]半導(dǎo)體基板的制造方法、SOI晶圓的制造方法及SOI晶圓

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110442064.7
• 申請日: 2021-04-23
• 公開（公告）號: CN113658848A
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曲偉峰;井川靜男;砂川健
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/265;H01L29/16
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;劉余婷

1.一種半導(dǎo)體基板的制造方法，其為表面具有SiC單晶膜的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，包括：

使碳附著于單晶硅基板的表面的工序；

使附著了所述碳的所述單晶硅基板的表面碳化而形成SiC單晶底層膜的工序；

在所述SiC單晶底層膜上形成非晶硅膜的工序；

以所述SiC單晶底層膜為晶種，通過固相生長將所述非晶硅膜制成SiC單晶膜的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，在所述使碳附著于單晶硅基板的表面的工序中，在含碳?xì)夥障聦λ鰡尉Ч杌暹M行800℃以下的RTA處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，在所述形成SiC單晶底層膜的工序中，通過在含碳?xì)夥障聦λ鰡尉Ч杌暹M行1150℃～1300℃的RTA處理，形成厚度為7nm以下的SiC單晶底層膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，在所述形成非晶硅膜的工序中，于300～600℃的生長溫度下在所述SiC單晶底層膜上氣相生長出非晶硅膜，所述非晶硅膜的厚度為所述SiC單晶底層膜的厚度的3倍以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，在所述通過固相生長將非晶硅膜制成SiC單晶膜的工序中，在含碳?xì)夥障聦λ鰡尉Ч杌暹M行1150℃～1300℃的RTA處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，重復(fù)進行2次以上所述形成非晶硅膜的工序、及所述將非晶硅膜制成SiC單晶膜的工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，以比15nm厚的方式形成所述SiC單晶膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，所述SiC單晶底層膜及所述SiC單晶膜為3C-SiC。

9.一種SOI晶圓的制造方法，其特征在于，將通過權(quán)利要求1～8中任一項所述的半導(dǎo)體基板的制造方法制造的具有SiC單晶膜的單晶硅基板用作SOI晶圓的基底基板，制造SOI晶圓。

10.一種半導(dǎo)體基板的制造方法，其特征在于，將通過權(quán)利要求1～8中任一項所述的半導(dǎo)體基板的制造方法制造的具有SiC單晶膜的單晶硅基板用作起始基板，并在所述SiC單晶膜上形成化合物半導(dǎo)體膜。

11.一種SOI晶圓，其特征在于，

具有支撐基板、該支撐基板上的絕緣層、及該絕緣層上的SOI層；

所述支撐基板為單晶硅基板；

所述絕緣層由3C-SiC單晶膜構(gòu)成。