[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202110421604.3 | 申請日: | 2021-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN113540175A | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 金成煥;樸晉佑;沈廷熏 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本公開的示例實施例涉及一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:第一顯示區域,所述第一顯示區域包括主子像素;第二顯示區域,所述第二顯示區域包括彼此間隔開的像素組和位于所述像素組之間的透射部分,所述第二顯示區域具有與所述第一顯示區域的分辨率不同的分辨率;以及延伸線,所述延伸線位于所述像素組之中的在第一方向上彼此相鄰的兩個像素組之間并且在所述第一方向上延伸,其中,所述像素組中的每一個包括多個輔助子像素和多條水平線,所述多條水平線電連接到所述多個輔助子像素并且在所述第一方向上延伸,并且所述延伸線電連接到包括在所述兩個像素組中的每一個中的所述水平線,并且所述延伸線的數目小于所述水平線的數目。
本申請要求于2020年4月22日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0048860號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請的公開內容通過引用全部并入在本文中。
技術領域
一個或多個示例實施例的各方面涉及顯示裝置。
背景技術
隨著用于可視地表達各種電信號信息的顯示器的快速發展,已經引入了具有相對優異特性(諸如薄廓形、輕質和低功耗)的各種平板顯示裝置。另外,最近,已經引入了在其前部沒有物理按鈕等的顯示裝置和擴大的圖像顯示區域。
在該背景技術部分中公開的上述信息僅是為了加強對技術背景的理解,并且因此在該背景技術部分中討論的信息不一定構成現有技術。
發明內容
一個或多個示例實施例的各方面包括一種即使在諸如相機和傳感器的電子元件所位于的區域中也能夠顯示圖像的顯示裝置。
附加方面將部分地在下面的描述中進行闡述,并部分地根據該描述將是明顯的,或者可以由本公開的所給出的示例實施例的實施而獲知。
根據一個或多個示例實施例,一種顯示裝置包括:第一顯示區域,所述第一顯示區域包括主子像素;第二顯示區域,所述第二顯示區域包括彼此間隔開的像素組和位于所述像素組之間的透射部分,所述第二顯示區域具有與所述第一顯示區域的分辨率不同的分辨率;以及延伸線,所述延伸線布置在所述像素組之中的在第一方向上彼此相鄰的兩個像素組之間并且在所述第一方向上延伸,其中,所述像素組中的每一個包括多個輔助子像素和多條水平線,所述多條水平線電連接到所述多個輔助子像素并且在所述第一方向上延伸,所述延伸線電連接到包括在所述兩個像素組中的每一個中的所述水平線,并且所述延伸線的數目可以小于所述水平線的數目。
根據一些示例實施例,所述延伸線之中的兩條相鄰的延伸線可以位于不同的層上。
根據一些示例實施例,在平面上,布置所述延伸線的區域在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度可以小于布置所述水平線的區域在所述第二方向上的寬度,所述第二方向垂直于所述第一方向。
根據一些示例實施例,所述多個輔助子像素中的每一個包括像素電路和電連接到所述像素電路的顯示元件,所述像素電路包括配置為將驅動電流供應到所述顯示元件的驅動薄膜晶體管、配置為使所述驅動薄膜晶體管的驅動柵極電極的電壓初始化的第一初始化薄膜晶體管和配置為使所述顯示元件的像素電極初始化的第二初始化薄膜晶體管,并且所述水平線包括配置為將初始化電壓傳輸到所述第一初始化薄膜晶體管的第一初始化電壓線和配置為將所述初始化電壓傳輸到所述第二初始化薄膜晶體管的第二初始化電壓線,其中,所述第一初始化電壓線和所述第二初始化電壓線可以通過第一連接線彼此電連接。
根據一些示例實施例,所述像素電路還包括開關薄膜晶體管,所述開關薄膜晶體管配置為將數據信號傳輸到所述驅動薄膜晶體管的驅動源極電極,并且所述水平線還包括配置為將前一掃描信號傳輸到所述第一初始化薄膜晶體管的第一掃描線、電連接到所述開關薄膜晶體管的開關柵極電極的第二掃描線和電連接到所述第二初始化薄膜晶體管的第二初始化柵極電極的第三掃描線,其中,所述第二掃描線和所述第三掃描線通過第二連接線彼此電連接,并且相同的掃描信號可以施加到所述第二掃描線和所述第三掃描線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





