[發(fā)明專利]避免鏡面表面出現(xiàn)斷層孔洞的燒結(jié)碳化硅的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110414009.7
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113118879B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周子元;王志豪;李文宗;黎發(fā)志
• 申請（專利權(quán)）人: 南京英田光學(xué)工程股份有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B13/01;B24B49/12
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 許小莉

本發(fā)明提供一種避免鏡面表面出現(xiàn)斷層孔洞的燒結(jié)碳化硅的加工方法。本發(fā)明方法包括如下步驟：S1.利用CCOS技術(shù)對反應(yīng)燒結(jié)碳化硅反射鏡進(jìn)行細(xì)磨使得面型收斂至PV：0.45um，RMS：0.10um；S2.細(xì)磨結(jié)果后，進(jìn)行拋光，拋光磨盤材料選用瀝青，磨料選用氧化鈰，拋光階段仍然利用干涉儀與CCOS技術(shù)相結(jié)合進(jìn)行拋光，在保持面型不變的情況下，觀察是否出現(xiàn)白色斑點(diǎn)，如不出現(xiàn)白色斑點(diǎn)則完成該道工序；S3.拋光結(jié)束后進(jìn)行改性鍍膜；S4.改性結(jié)束后繼續(xù)拋光至達(dá)到產(chǎn)品要求。本發(fā)明可以避免鏡面表面斷層，孔洞等現(xiàn)象，可得到面型與表面較好的反射鏡。

技術(shù)領(lǐng)域：

本發(fā)明涉及一種避免鏡面表面出現(xiàn)斷層孔洞的燒結(jié)碳化硅的加工方法，屬于光學(xué)設(shè)備加工技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)RB-SiC加工流程為細(xì)磨，拋光，鍍膜改性，再拋光過程；而斷層孔洞現(xiàn)在則集中出現(xiàn)在拋光階段。傳統(tǒng)研磨對硬度很大的RB-SiC存在加工效率慢，精度收斂慢，只適合單件小批量生產(chǎn)的缺陷；超精密磨削技術(shù)對工件產(chǎn)生微形變，且殘余應(yīng)力大；等離子體氣化加工會使鏡面表面出現(xiàn)孔洞等缺陷；離子束加工加工成本高，且由于RB-SiC中Si相和SiC相物理化學(xué)性質(zhì)不一致導(dǎo)致鏡面表面有凸起物；化學(xué)機(jī)械拋光由于RB-SiC中Si和SiC相得化學(xué)性質(zhì)不同導(dǎo)致拋光后出現(xiàn)斷層，孔洞等。

發(fā)明內(nèi)容：

針對上述存在的問題，本發(fā)明提供一種避免鏡面表面出現(xiàn)斷層孔洞的燒結(jié)碳化硅的加工方法，通過傳統(tǒng)拋光技術(shù)為基礎(chǔ)，利用RB-SiC的特性調(diào)整加工環(huán)節(jié)避免了傳統(tǒng)方法的缺陷，結(jié)合計(jì)算機(jī)控制光學(xué)表面成型技術(shù)，即CCOS技術(shù)，不需要過高的技術(shù)支持，且可以避免鏡面表面斷層，孔洞等現(xiàn)象，可得到面型與表面較好的反射鏡。

上述的目的通過以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種避免鏡面表面出現(xiàn)斷層孔洞的燒結(jié)碳化硅的加工方法，該方法包括如下步驟：

S1. 利用CCOS技術(shù)對反應(yīng)燒結(jié)碳化硅反射鏡進(jìn)行細(xì)磨使得面型收斂至PV：0.45um，RMS：0.10um；

S2. 細(xì)磨結(jié)果后，進(jìn)行拋光，拋光磨盤材料選用瀝青，磨料選用氧化鈰，拋光階段仍然利用干涉儀與CCOS技術(shù)相結(jié)合進(jìn)行拋光，在保持面型不變的情況下，觀察是否出現(xiàn)白色斑點(diǎn)，如不出現(xiàn)白色斑點(diǎn)則完成該道工序；

S3. 拋光結(jié)束后進(jìn)行改性鍍膜；

S4. 改性結(jié)束后繼續(xù)拋光至達(dá)到產(chǎn)品要求。

所述的避免鏡面表面出現(xiàn)斷層孔洞的燒結(jié)碳化硅的加工方法，步驟S1的具體方法是：

S11. 利用三坐標(biāo)測量面型得到數(shù)據(jù)后再利用CCOS技術(shù)進(jìn)行細(xì)磨，磨料選擇7-8um鉆石粉拋光粉，經(jīng)一輪細(xì)磨即可使鏡面達(dá)到干涉儀測量標(biāo)準(zhǔn)，此后面型測量更換為干涉儀測量；

S12. 鏡面達(dá)到干涉儀測量標(biāo)準(zhǔn)后，將磨料更換為5-6um鉆石粉，鏡面細(xì)磨至最終面型結(jié)果是PV：4.65um，RMS：1.22um；

S13. 面型穩(wěn)定后更換3-4um鉆石粉繼續(xù)細(xì)磨，本道細(xì)磨至最終面型結(jié)果是pv：0.68um，RMS：0.15um；

S14. 最后更換0.5-1um鉆石粉進(jìn)行細(xì)磨，該道細(xì)磨最終得到面型為PV：0.45um，RMS：0.1um。

有益效果：

本發(fā)明提出了一種全新的加工燒結(jié)反射鏡的方法，可以有效解決加工過程中鏡面出現(xiàn)斷層孔洞現(xiàn)象；目前可將120mm碳化硅反射鏡在細(xì)磨階段面型收斂至PV：0.45um，RMS：0.10um。

附圖說明：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中拋光前反射鏡顯微示意圖。

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中拋光后反射鏡顯微示意圖。