[發明專利]避免鏡面表面出現斷層孔洞的燒結碳化硅的加工方法有效
| 申請號: | 202110414009.7 | 申請日: | 2021-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN113118879B | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | 周子元;王志豪;李文宗;黎發志 | 申請(專利權)人: | 南京英田光學工程股份有限公司 |
| 主分類號: | B24B1/00 | 分類號: | B24B1/00;B24B13/01;B24B49/12 |
| 代理公司: | 南京眾聯專利代理有限公司 32206 | 代理人: | 許小莉 |
| 地址: | 210028 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 避免 表面 出現 斷層 孔洞 燒結 碳化硅 加工 方法 | ||
1.一種避免鏡面表面出現斷層孔洞的燒結碳化硅的加工方法,其特征是:該方法包括如下步驟:
S1. 利用CCOS技術對反應燒結碳化硅反射鏡進行細磨使得面型收斂至PV:0.45um,RMS:0.10um;
S2. 細磨結果后,進行拋光,拋光磨盤材料選用瀝青,磨料選用氧化鈰,拋光階段仍然利用干涉儀與CCOS技術相結合進行拋光,在保持面型不變的情況下,觀察是否出現白色斑點,如不出現白色斑點則完成該道工序;
S3. 拋光結束后進行改性鍍膜;
S4. 改性結束后繼續拋光至達到產品要求;
步驟S1的具體方法是:
S11. 利用三坐標測量面型得到數據后再利用CCOS技術進行細磨,磨料選擇7-8um鉆石粉拋光粉,經一輪細磨即可使鏡面達到干涉儀測量標準,此后面型測量更換為干涉儀測量;
S12. 鏡面達到干涉儀測量標準后,將磨料更換為5-6um鉆石粉,鏡面細磨至最終面型結果是PV:4.65um,RMS:1.22um;
S13. 面型穩定后更換3-4um鉆石粉繼續細磨,本道細磨至最終面型結果是pv:0.68um,RMS:0.15um;
S14. 最后更換0.5-1um鉆石粉進行細磨,該道細磨最終得到面型為PV:0.45um,RMS:0.1um。
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