[發(fā)明專(zhuān)利]VO2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110413671.0 | 申請(qǐng)日： | 2021-04-16 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113130745B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-08-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王慶國(guó);孫肖寧;曲兆明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中國(guó)人民解放軍陸軍工程大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H10N70/20 | 分類(lèi)號(hào)： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 河北冀華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 13151 | 代理人： | 王占華 |
| 地址： | 050003 *** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | vo base sub | ||
1.VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）將VO2(M)納米顆粒加入到去離子水和無(wú)水乙醇的混合溶液中，分散后，加入氨水，攪拌均勻后，溶液pH值為8.7-11.8，然后在攪拌狀態(tài)下，加入正硅酸乙酯乙醇溶液，繼續(xù)反應(yīng)8-24h，抽濾，清洗，真空干燥后得到SiO2包覆的VO2納米顆粒，2nm≤SiO2包覆厚度≤3nm；VO2(M)納米顆粒和正硅酸乙酯的質(zhì)量比為1:0.02-1:0.3；
（2）首先制備聚乙烯吡咯烷酮PVP水溶液，再將SiO2包覆的VO2納米顆粒與PVP水溶液混合，涂覆在基板上，干燥后得到VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：步驟（1）所用去離子水和無(wú)水乙醇的混合溶液中，去離子水和無(wú)水乙醇的體積比為1:3-1:5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：步驟（1）所用氨水的濃度為25wt%-28wt%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：步驟（1）所用正硅酸乙酯乙醇溶液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%正硅酸乙酯乙醇溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：步驟（2）中，PVP水溶液質(zhì)量濃度為2%-10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：步驟（2）中，SiO2包覆的VO2納米顆粒與PVP水溶液的質(zhì)量比為1:1-1:10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法，其特征在于：步驟（2）中，基板是PCB板或玻璃。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的VO2@SiO2納米粒子填充型電致相變復(fù)合材料制法所制得的電致相變復(fù)合材料。
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