[發明專利]體聲波濾波器及其形成方法

在審

• 申請號: 202110412584.3
• 申請日: 2021-04-16
• 公開（公告）號: CN113114157A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 羅傳鵬;項少華;王沖;蔡敏豪;王勇濤
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H3/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成支撐結構，包括：在所述襯底上形成介質層，并在所述介質層中形成環狀溝槽，所述環狀溝槽環繞在內的介質材料構成犧牲部；以及，在所述介質層上形成支撐材料層，所述支撐材料層填充所述環狀溝槽以構成支撐柱，所述支撐材料層覆蓋所述介質層頂表面的部分構成支撐層，所述支撐層橫向延伸至所述犧牲部上；

在所述支撐結構上依次形成下電極、壓電層和上電極，所述下電極位于所述犧牲部的正上方，并且所述下電極的至少端部搭載在所述支撐層上，所述壓電層至少覆蓋所述下電極，以及所述上電極形成在所述壓電層上；以及，去除所述犧牲部，以形成空腔在所述下電極的下方。

2.如權利要求1所述的體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，所述支撐層完全覆蓋由所述支撐柱環繞在內的犧牲部的頂表面，并使所述下電極的底表面完全搭載在所述支撐層上。

3.如權利要求1所述的體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，所述支撐層由所述犧牲部之外延伸至所述犧牲部的邊緣上以形成承載部，并使所述下電極的端部搭載在所述支撐層的所述承載部上。

4.如權利要求3所述的體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，所述支撐結構的形成方法包括：在形成所述支撐材料層后，去除所述支撐材料層位于所述犧牲部上方的部分，并保留所述支撐材料層中位于所述犧牲部邊緣的部分以構成所述承載部；

以及，在形成所述下電極時，所述下電極覆蓋暴露出的犧牲層，并使所述下電極的端部搭載在所述支撐層的所述承載部上。

5.如權利要求1所述的體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，所述下電極在襯底上的投影完全位于所述空腔在襯底上的投影范圍內。

6.如權利要求1所述的體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，所述支撐材料層的形成方法包括：執行薄膜沉積工藝，所述薄膜沉積工藝的制程溫度為300℃-1500℃。

7.如權利要求1所述的體聲波濾波器的形成方法，其特征在于，所述犧牲部的去除方法包括：形成貫穿所述壓電層和所述支撐層的釋放孔以暴露出所述犧牲部，并通過所述釋放孔去除所述犧牲部以釋放出所述空腔。

8.一種體聲波濾波器，其特征在于，包括：

襯底；

支撐結構，包括介質層、支撐柱和支撐層，所述介質層和所述支撐柱同層設置在所述襯底上，所述支撐柱環繞出空腔，并由所述支撐柱間隔所述空腔和所述介質層，以及所述支撐層位于所述介質層上并且還橫向延伸至所述空腔的上方；

下電極，位于所述空腔的正上方，并且所述下電極的至少端部搭載在所述支撐層上；

壓電層，至少覆蓋所述下電極層；以及，

上電極，位于所述壓電層上，并和所述下電極具有空間重疊的部分。

9.如權利要求8所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述支撐層封蓋所述空腔的頂部開口，所述下電極的底表面完全搭載在所述支撐層上。

10.如權利要求8所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述支撐層由空腔外橫向延伸至空腔內的邊緣位置以構成承載部，所述下電極的端部搭載在所述支撐層的所述承載部上。

11.如權利要求8所述的體聲波濾波器，其特征在于，所述下電極在在襯底上的投影完全位于所述空腔在襯底上的投影范圍內。