[發明專利]半導體器件以及制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202110404325.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN113130645A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 郝榮暉;陳扶;何川;黃敬源
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 深圳宜保知識產權代理事務所(普通合伙) 44588
• 代理人: 王琴;曹玉存

1.一種氮化物型的半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

緩沖體，設置在所述襯底上；

第一氮化物半導體層，設置在所述緩沖體上，并與所述緩沖體形成第一界面；

屏蔽層，包括第一隔離化合物，并插入在所述緩沖體和所述第一氮化物半導體層之間，其中所述第一隔離化合物具有的帶隙大于所述緩沖體的帶隙和大于所述第一氮化物半導體層的帶隙，以在所述緩沖體和所述第一氮化物半導體層之間形成至少一電氣隔離區域；

第二氮化物半導體層，設置在所述第一氮化物半導體層上，且具有的帶隙小于所述第一隔離化合物的帶隙并大于所述第一氮化物半導體層的帶隙；以及

一對源極/漏極電極和柵極電極，設置在所述第二氮化物半導體層上，其中所述柵極電極位在所述源極/漏極電極之間。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一界面的位置低于所述屏蔽層的最頂表面。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽層與所述緩沖體的最頂部形成第二界面。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽層的所述最頂表面與所述第一氮化物半導體層的最底部形成第三界面，且所述屏蔽層具有側壁，其與所述第一氮化物半導體層的所述最底部形成第四界面。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一氮化物半導體層向下延伸至所述緩沖體的最頂表面，以形成所述第一界面。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽層具有多個隔離島，其由所述緩沖體和所述第一氮化物半導體層包圍。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一氮化物半導體層向下延伸，以完全填充所述隔離島之間的間隔。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，每個所述隔離島與所述第一氮化物半導體層具有第一界面區域，每個所述隔離島與所述緩沖體具有第二界面區域，且所述第一界面區域大于所述第二界面區域。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一氮化物半導體層向下延伸，以穿過所述屏蔽層，從而與所述緩沖體形成所述第一界面。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，沿垂直于所述襯底的方向看向所述屏蔽層，其具有圍繞所述緩沖體的至少一內邊界。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖體包括至少一層的摻雜氮化物半導體化合物，其位于所述緩沖體的最頂部，其中所述摻雜氮化物半導體化合物的至少一摻雜劑選自碳、硅、鍺或錫中的一種或多種，且所述屏蔽層與所述摻雜氮化物半導體化合物接觸。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖體的所述摻雜氮化物半導體化合物為碳摻雜氮化鎵。

13.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽層的厚度在1納米到100納米之間。

14.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

鈍化層，設置在所述柵極電極上，并且包括第二隔離化合物，其不含金屬元素，而所述第一隔離化合物包括至少一金屬元素。

15.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

鈍化層，設置在所述柵極電極上，并且包括第二隔離化合物，其具有的組份與所述第一隔離化合物相同。