[發明專利]一種漏電補償電路有效
| 申請號: | 202110397331.3 | 申請日: | 2021-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN113093852B | 公開(公告)日: | 2022-11-01 |
| 發明(設計)人: | 趙克新;程亞萍 | 申請(專利權)人: | 北京芯愿景軟件技術股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
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| 地址: | 100095 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 漏電 補償 電路 | ||
本發明提供的漏電補償電路,在輸出模塊與功能模塊之間增加電流補償模塊,電流補償模塊包含開關模塊和電壓跟隨器。電流補償模塊可盡量降低輸出模塊的漏電流,降低漏電流對功能模塊的影響。
技術領域
本發明涉及一種漏電補償電路,特別涉及包含輸出模塊和功能模塊的漏電流補償電路,屬于集成電路設計領域。
背景技術
在集成電路設計時,需要考慮MOS晶體管的非理想效應,例如需要考慮晶體管的漏極與襯底之間、源極與襯底之間存在寄生二極管,當寄生二極管導通時,會形成泄漏電流。而且,晶體管的亞閾值導電性,使得晶體管在亞閾值區溝道也存在漏電流。雖然這些漏電流的存在不可避免,但是其影響不可忽視。一旦漏電流過大,可能會導致電路不能正常工作。
圖1為IO端口的電路圖,輸出模塊100無效時,功能模塊200有效;輸出模塊100有效時,功能模塊200無效。輸出模塊100包括輸出驅動晶體管P1和N1。當輸出模塊100無效,功能模塊200有效時,P1、N1晶體管處于截止狀態,由晶體管P1、N1以及ESD電路300產生的泄漏電流Ileak等于由P1產生的泄漏電流Ip、由N1產生的泄漏電流In、由ESD電路產生的泄漏電流Iesd的代數和。當泄漏電流Ileak不為0,或者泄露電流過大時,可能會影響功能模塊200的工作狀態,甚至導致功能模塊200無法正常工作。
專利CN108376013A的漏電補償方案是使用電流鏡結構形成補償電路,由于晶體管的匹配程度會影響電流復制比例的精度,當晶體管失配或漏源電壓不相等時,會嚴重影響二者的漏電流復制比例。因此,該專利結構無法精確的補償晶體管的漏電。
發明內容
本發明提供一種漏電補償電路,用于消除輸出模塊產生的泄漏電流,減小泄漏電流對功能模塊的影響。
本發明提供一種漏電補償電路,在輸出模塊與功能模塊之間,增加電流補償模塊,用于消除輸出模塊產生的泄漏電流。
本發明提供的一種漏電補償電路中,電流補償模塊包含開關模塊和電壓跟隨器。
本發明提供的開關模塊中包含襯底電位選擇模塊,用于選擇開關晶體管的襯底電位。
本發明提供的電流補償模塊中,電壓跟隨器可以使用差分形式的放大器結構。
本發明提供的電流補償模塊中,電壓跟隨器使用兩級電壓跟隨器結構,其中第一級和第二級電壓跟隨器均為單端跟隨器。第一級電壓跟隨器可以使用晶體管和電流源的結構組成。
附圖說明
圖1為現有技術。
圖2為本發明的第一實施例。
圖3為本發明的第一實施例。
圖4為本發明的第二實施例。
圖5為本發明的第二實施例的等效電路圖之一。
圖5a為本發明電壓跟隨器的一種實施方式。
圖5b為本發明襯底電位選擇模塊的一種實施方式。
圖6為本發明的第三實施例。
圖7為本發明的第三實施例。
圖8為本發明的第四實施例。
具體實施方式
實施例一
圖1所示的電路中,輸出模塊100和功能模塊200不能同時有效。當輸出模塊100無效時,在極端條件下,如高溫條件下,由驅動晶體管及ESD電路產生的漏電流Ileak過大, 會影響到功能模塊200的工作狀態,甚至會導致功能模塊200無法正常工作。因此,本發明提供一種用于減小泄漏電流的電路結構。
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