[發(fā)明專利]一種基于通硅電容可配置的三維均衡器及其參數(shù)設(shè)計(jì)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110396726.1
• 申請(qǐng)日: 2021-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113315483B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊力宏;朱樟明;單光寶;李竹萌;李國(guó)良;楊銀堂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H03H7/06
• 分類號(hào): H03H7/06;G06F30/367;H01L23/48
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長(zhǎng)春

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于通硅電容可配置的三維均衡器，包括：開(kāi)關(guān)控制模塊SC1、開(kāi)關(guān)模塊S1、注入電阻陣列R1、通硅電容陣列C1、開(kāi)關(guān)控制模塊SC2、開(kāi)關(guān)模塊S2、注入電阻陣列R2和通硅電容陣列C2，其中，所述開(kāi)關(guān)模塊S1和開(kāi)關(guān)模塊S2部署有控制端和雙向端口，開(kāi)關(guān)控制模塊SC1、開(kāi)關(guān)控制模塊SC2、所述注入電阻陣列R1、注入電阻陣列R2、通硅電容陣列C1和通硅電容陣列C2部署有雙向端口；所述注入電阻陣列R1、通硅電容陣列C1、注入電阻陣列R2和通硅電容陣列C2部署于硅基板中。本發(fā)明能夠提高三維集成的RC無(wú)源均衡器的集成度和可靠性，并且易配置、實(shí)用性高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于通硅電容可配置的三維均衡器及其參數(shù)設(shè)計(jì)方法。

背景技術(shù)

在高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)中，通常采用均衡技術(shù)補(bǔ)償信號(hào)，以使有限帶寬的信道能夠傳輸更高的信號(hào)速率。

現(xiàn)有技術(shù)中，如專利CN108964627A提出了針對(duì)屏蔽差分硅通孔的RC無(wú)源均衡結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用片上電阻和片上電容，所述結(jié)構(gòu)會(huì)增加無(wú)源均衡結(jié)構(gòu)整體的縱向尺寸和橫向面積，導(dǎo)致無(wú)源均衡結(jié)構(gòu)整體的集成度較低。

并且，現(xiàn)有技術(shù)中為了使均衡器達(dá)到最佳的工作效果，通常需要在均衡器的實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中推導(dǎo)片上電阻和片上電容等組件的參數(shù)信息，所述參數(shù)信息的推導(dǎo)過(guò)程復(fù)雜，需要大量精確和繁瑣的計(jì)算，以及在推導(dǎo)過(guò)程中所用的工藝參數(shù)還由代工線決定，通常代工線處于商業(yè)保密等因素，不會(huì)公布所用的工藝參數(shù)信息，因此，技術(shù)人員無(wú)法準(zhǔn)確快速地獲取所述參數(shù)信息，造成均衡器使用不便，進(jìn)一步地，由于代工線工藝批次的差異，也會(huì)造成工作效果與設(shè)計(jì)之間出現(xiàn)差異。

另外，現(xiàn)有技術(shù)中均衡結(jié)構(gòu)都需要在硅襯底之上進(jìn)行多層布線，該方式增加了工藝的復(fù)雜性和成本，降低了生產(chǎn)效率和成品率。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于通硅電容可配置的三維均衡器及其參數(shù)設(shè)計(jì)方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種基于通硅電容可配置的三維均衡器，包括：開(kāi)關(guān)控制模塊SC1、開(kāi)關(guān)模塊S1、注入電阻陣列R1、通硅電容陣列C1、開(kāi)關(guān)控制模塊SC2、開(kāi)關(guān)模塊S2、注入電阻陣列R2和通硅電容陣列C2，其中，所述開(kāi)關(guān)模塊S1和開(kāi)關(guān)模塊S2部署有控制端和雙向端口，開(kāi)關(guān)控制模塊SC1、開(kāi)關(guān)控制模塊SC2、所述注入電阻陣列R1、注入電阻陣列R2、通硅電容陣列C1和通硅電容陣列C2部署有雙向端口；所述注入電阻陣列R1、通硅電容陣列C1、注入電阻陣列R2和通硅電容陣列C2部署于硅基板上；所述開(kāi)關(guān)模塊S1的控制端與所述開(kāi)關(guān)控制模塊SC1連接，所述開(kāi)關(guān)模塊S1的第一雙向端口與信號(hào)輸入端連接，所述開(kāi)關(guān)模塊S1的第二雙向端口分別與所述注入電阻陣列R1的第一雙向端口和所述通硅電容陣列C1的第一雙向端口連接；所述注入電阻陣列R1的第二雙向端口和所述通硅電容陣列C1的第二雙向端口，分別與信號(hào)輸出端連接；所述開(kāi)關(guān)模塊S2的控制端與所述開(kāi)關(guān)控制模塊SC2連接，所述開(kāi)關(guān)模塊S2的第一雙向端口與所述信號(hào)輸出端連接，所述開(kāi)關(guān)模塊S2的第二雙向端口分別與所述注入電阻陣列R2的第一雙向端口和所述通硅電容陣列C2的第一雙向端口連接；所述注入電阻陣列R2的第二雙向端口和所述通硅電容陣列C2的第二雙向端口分別與地線連接。