[發(fā)明專利]一種用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110384593.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113109356B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖廣蘭;吳龍軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 徐州盛科半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88;G01N21/95;G01N21/01 |
| 代理公司: | 南京禹為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32272 | 代理人: | 王曉東 |
| 地址: | 221400 江蘇省徐州市新沂*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 半導(dǎo)體 封裝 缺陷 檢測(cè) 移動(dòng) 平臺(tái) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái),包括,固定臺(tái),所述固定臺(tái)上設(shè)置有槽孔,所述槽孔側(cè)壁設(shè)置有對(duì)接槽;移動(dòng)臺(tái),所述移動(dòng)臺(tái)設(shè)置于所述槽孔中,所述移動(dòng)臺(tái)內(nèi)部設(shè)置有容置槽,所述移動(dòng)臺(tái)頂面設(shè)置有第一出口,所述第一出口與所述容置槽通過(guò)第一直槽連通,所述移動(dòng)臺(tái)四周側(cè)面設(shè)置有第二出口,所述第二出口與所述容置槽通過(guò)第二直槽連通;閥芯,所述閥芯設(shè)置于所述容置槽中;本發(fā)明可確保封裝時(shí)封裝基座位置準(zhǔn)確,且其固定牢固,不易損傷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)。
背景技術(shù)
隨著IC特征尺寸的不斷減小,芯片的功率密度迅速增加,芯片的散熱和內(nèi)部熱應(yīng)力失配問(wèn)題更加嚴(yán)重,易于發(fā)生鍵合失效,而很多缺陷常常隱藏于芯片和基底之間,檢測(cè)變得十分困難。因此,芯片的封裝檢測(cè)已逐漸成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和無(wú)損檢測(cè)行業(yè)亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。常見(jiàn)接觸式檢測(cè)方法包括功能測(cè)試、電測(cè)試等,主要用來(lái)檢測(cè)芯片的短路和開(kāi)路,但不能有效地區(qū)別和定位出焊點(diǎn)缺陷,而且很容易對(duì)芯片表面造成損壞,檢測(cè)效率也不高。傳統(tǒng)無(wú)損檢測(cè)技術(shù)X射線和掃描聲顯微鏡(SAM)檢測(cè),無(wú)法適應(yīng)快速、高效、在線檢測(cè)要求。
紅外檢測(cè)是一種快速無(wú)損檢測(cè)技術(shù)。本公司將紅外熱成像檢測(cè)及信號(hào)重構(gòu)技術(shù)應(yīng)用于微電子封裝檢測(cè),開(kāi)發(fā)了一種適用于芯片缺陷檢測(cè)的紅外檢測(cè)技術(shù)及設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡(jiǎn)要介紹一些較佳實(shí)施例,在本部分以及本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱中可能會(huì)做些簡(jiǎn)化或省略以避免使本部分、說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱的目的模糊,而這種簡(jiǎn)化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
鑒于上述和/或現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問(wèn)題,提出了本發(fā)明。
因此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)過(guò)程中,封裝基座的位置固定不穩(wěn),容置導(dǎo)致定位錯(cuò)誤損壞零件的問(wèn)題。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái),包括,
固定臺(tái),所述固定臺(tái)上設(shè)置有槽孔,所述槽孔側(cè)壁設(shè)置有對(duì)接槽;
移動(dòng)臺(tái),所述移動(dòng)臺(tái)設(shè)置于所述槽孔中,所述移動(dòng)臺(tái)內(nèi)部設(shè)置有容置槽,所述移動(dòng)臺(tái)頂面設(shè)置有第一出口,所述第一出口與所述容置槽通過(guò)第一直槽連通,所述移動(dòng)臺(tái)四周側(cè)面設(shè)置有第二出口,所述第二出口與所述容置槽通過(guò)第二直槽連通。
閥芯,所述閥芯設(shè)置于所述容置槽中。
作為本發(fā)明所述用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)的一種優(yōu)選方案,其中:所述移動(dòng)臺(tái)底部設(shè)置有進(jìn)口槽,所述進(jìn)口槽處設(shè)置有電磁閥,所述進(jìn)口槽與所述容置槽之間設(shè)置有隔板。
作為本發(fā)明所述用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)的一種優(yōu)選方案,其中:所述閥芯中心處設(shè)置有豎槽,所述閥芯底部于設(shè)置有進(jìn)氣管,所述進(jìn)氣管與所述豎槽相通;
所述閥芯內(nèi)設(shè)置有第二出氣槽通向側(cè)壁,所述第二出氣槽與所述豎槽相通。
作為本發(fā)明所述用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)的一種優(yōu)選方案,其中:所述閥芯頂部設(shè)置有頂塞,所述頂塞位置與所述第一直槽對(duì)應(yīng),所述頂塞與所述第一直槽配合。
作為本發(fā)明所述用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)的一種優(yōu)選方案,其中:所述第二出口處設(shè)置有導(dǎo)向槽和限位槽,所述導(dǎo)向槽和限位槽連通;
所述第二出口處設(shè)置有對(duì)接塞,所述對(duì)接塞包括密封段和限位段,所述密封段設(shè)置于所述導(dǎo)向槽中,所述限位段設(shè)置于所述限位槽中。
作為本發(fā)明所述用于半導(dǎo)體封裝缺陷檢測(cè)的移動(dòng)平臺(tái)的一種優(yōu)選方案,其中:所述容置槽頂部設(shè)置有頂槽,所述頂槽與所述限位槽通過(guò)通槽連通。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





