[發(fā)明專利]一種增強(qiáng)太陽能電池光吸收的微納混合結(jié)構(gòu)及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110384144.1 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113299776A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳樂;方博聞;羅煒;孫嘉偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 桂林電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/0236 | 分類號(hào): | H01L31/0236;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 541004 廣西*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 增強(qiáng) 太陽能電池 光吸收 混合結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.本發(fā)明提供的是一種增強(qiáng)太陽能電池光吸收的微納混合結(jié)構(gòu)及制備方法。其特征是:金字塔結(jié)構(gòu)硅片(a)通過化學(xué)腐蝕法制備得到微納混合結(jié)構(gòu),簡(jiǎn)稱黑硅(b),然后以黑硅(b)為模板,在其結(jié)構(gòu)面上澆筑PDMS膠,得到黑硅和PDMS膠的混合結(jié)構(gòu)體(c),最后通過脫模過程得到表面微納混合結(jié)構(gòu)PDMS薄膜(d)。所述制備方法中,金字塔結(jié)構(gòu)硅片(a)清洗后固定于玻璃襯底,然后用化學(xué)試劑在硅片上刻蝕納米線陣列,清洗并烘干后制備得到黑硅(b);接著以黑硅為模板,將調(diào)配好的PDMS膜澆筑在黑硅的金字塔結(jié)構(gòu)面,并進(jìn)行抽真空處理,得到黑硅與PDMS的混合結(jié)構(gòu)體(c);最后恒溫70度加熱至PDMS膠完全固化,再采用拔模工藝將黑硅(b)與PDMS膠膜分離,得到具有表面微納混合結(jié)構(gòu)的PDMS膠膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面微納混合結(jié)構(gòu)。其特征是:所述的表面微納混合結(jié)構(gòu)是以黑硅為模板,然后將PDMS膠澆筑在黑硅結(jié)構(gòu)表面,恒溫固化后,經(jīng)拔模工藝后制備得到;該結(jié)構(gòu)是由微米尺度的金字塔結(jié)構(gòu)和納米尺度的納米線陣列結(jié)構(gòu)組成的雙重抗反射結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PDMS膠膜。其特征是:PDMS膠膜中金字塔結(jié)構(gòu)的周期為10μm-20μm,納米線陣列結(jié)構(gòu)的高度為50nm-100nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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