[發(fā)明專利]具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110377468.2 | 申請(qǐng)日: | 2021-04-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113092541A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范智勇;宋志龍;湯雯穎;陳卓 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 香港科技大學(xué)深圳研究院 |
| 主分類號(hào): | G01N27/12 | 分類號(hào): | G01N27/12 |
| 代理公司: | 北京方圓嘉禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385 | 代理人: | 馮靜 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新科技*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 微型 加熱器 垂直 三維 納米 氣體 傳感器 制備 方法 | ||
1.一種具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器,其特征在于,包括:殼體以及至少一套封裝于所述殼體內(nèi)部的加熱型氣體傳感組件;
所述加熱型氣體傳感組件包括:
上下通孔型納米管,內(nèi)壁上沉積有納米級(jí)氣敏材料;
傳感電極,包括生長(zhǎng)于所述上下通孔型納米管的上表面的頂部傳感電極以及生長(zhǎng)于所述上下通孔型納米管的下表面的底部傳感電極,所述頂部傳感電極與所述底部傳感電極具有上下垂直相對(duì)的部分,將所述頂部傳感電極與所述底部傳感電極上下垂直相對(duì)的部分記為重疊部分;
絕緣層,生長(zhǎng)于所述底部傳感電極的下表面;
微型加熱器,生長(zhǎng)于所述絕緣層的下表面,包括加熱電極以及與所述加熱電極電連接的發(fā)熱元件,所述發(fā)熱元件與所述重疊部分上下垂直相對(duì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器,其特征在于,所述發(fā)熱元件為蜿蜒型加熱絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器,其特征在于,所述氣敏材料為SnO2或其他金屬氧化物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器,其特征在于,所述納米管為陽(yáng)極氧化鋁納米管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器,其特征在于,所述殼體為陶瓷管殼。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器,其特征在于,采用導(dǎo)電膠將所述加熱型氣體傳感組件封裝于所述殼體中。
7.一種具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器的制備方法,其特征在于,包括:
在上下通孔型納米管的內(nèi)壁上沉積納米級(jí)氣敏材料;
在所述上下通孔型納米管的上表面蒸鍍頂部傳感電極,在所述上下通孔型納米管的下表面蒸鍍底部傳感電極;其中,所述頂部傳感電極與所述底部傳感電極具有上下垂直相對(duì)的部分,將所述頂部傳感電極與所述底部傳感電極上下垂直相對(duì)的部分記為重疊部分;
在所述底部傳感電極的下表面沉積絕緣層;
在所述絕緣層的下表面蒸鍍微型加熱器,得到加熱型氣體傳感組件;所述微型加熱器包括加熱電極以及與所述加熱電極電連接的發(fā)熱元件,所述發(fā)熱元件與所述重疊部分上下垂直相對(duì);
對(duì)所述加熱型氣體傳感組件進(jìn)行封裝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器的制備方法,其特征在于,所述發(fā)熱元件為蜿蜒型加熱絲。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器的制備方法,其特征在于,所述絕緣層的厚度為300nm~1μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有微型加熱器的垂直型三維納米氣體傳感器的制備方法,其特征在于,所述微型加熱器的厚度為150nm~350nm。
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