[發明專利]氮化物發光二極管

有效

• 申請號: 202110376664.8
• 申請日: 2021-04-08
• 公開（公告）號: CN113013301B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 曾俊凱;陳秉揚;丘建生
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.氮化物發光二極管，包含襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層，N型氮化物層、發光層、電子阻擋層和P型氮化物層，其中發光層包含阱層和壘層，其特征在于：所述電子阻擋層和P型氮化物層之間設置有P型碳原子調變層，所述P型碳原子調變層為調整發光層與P型氮化物層界面處的能帶扭曲的調變層，所述P型碳原子調變層中碳原子含量高于發光層和電子阻擋層中的碳原子含量；所述電子阻擋層中的碳原子含量高于發光層中碳原子含量；所述P型碳原子調變層為Al_aIn_bGa_1-a-bN，其中a≥0，b≥0，a+b≤1。

2.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型碳原子調變層中碳原子含量為5×10¹⁶~1×10¹⁸Atoms/cm³。

3.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型碳原子調變層中P型摻雜濃度為1×10¹⁹Atoms/cm³以上。

4.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型碳原子調變層的厚度為3~70nm。

5.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型碳原子調變層可為單層結構或者超晶格結構。

6.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型碳原子調變層中P型摻雜含量＞碳原子含量。

7.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層的能隙寬度大于發光層中壘層的能隙寬度。

8.根據權利要求7所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層的能隙寬度大于GaN的能隙寬度。

9.根據權利要求7所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層Al組分的含量高于發光層中壘層的Al組分的含量。

10.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述電子阻擋層為Al_cIn_dGa_1-c-dN，其中c＞0，d≥0，c+d≤1。

11.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在：所述電子阻擋層的厚度為1~50nm。

12.根據權利要求1所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述P型碳原子調變層和P型氮化物層之間還包含一第二電子阻擋層，所述第二電子阻擋層為Al_eIn_fGa_1-e-fN，其中e＞0，f≥0，e+f≤1。

13.根據權利要求12所述的氮化物發光二極管，其特征在于：所述第二電子阻擋層的厚度為10~80nm。