[發(fā)明專利]一種帶電感負(fù)載的充電樁變換器的驅(qū)動電路及其驅(qū)動方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110361593.4
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN113193734A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伍罡;薛利;梁睿智;許紫晗;張曉英;張彪;劉凱;王立業(yè)
• 申請（專利權(quán)）人: 北京國網(wǎng)普瑞特高壓輸電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 北京安博達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種帶電感負(fù)載的充電樁變換器的驅(qū)動電路，MOS管Q1和MOS管Q2串聯(lián)連接于電感負(fù)載的兩個端子之間，第一驅(qū)動器和第二驅(qū)動器分別為MOS管Q1和MOS管Q2提供驅(qū)動信號，第一驅(qū)動器包括第一控制電路、開關(guān)管T11、開關(guān)管T12、晶體管Q11、電阻R11、電阻R12，在MOS管Q2導(dǎo)通的同時，第一控制電路暫時性的導(dǎo)通MOS管Q1，因此MOS管Q2的續(xù)流電流不再通過MOS管Q1的體二極管，而是通過MOS管Q1本身，消除了MOS管Q1的柵極和源極之間產(chǎn)生的暫態(tài)大電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，第一驅(qū)動器中的電源VCC連接開關(guān)管T11的集電極，開關(guān)管T11的發(fā)射極連接電阻R11的一端，電阻R11的另一端連接開關(guān)管T12的集電極和晶體管Q11的源極以及MOS管Q1的柵極，開關(guān)管T12的發(fā)射極連接MOS管Q1的漏極和電阻R12的一端，電阻R12的另一端連接晶體管Q11的漏極，第一控制電路為開關(guān)管T11、開關(guān)管T12和晶體管Q11提供控制信號。

3.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，第二驅(qū)動器包括第二控制電路、開關(guān)管T21、開關(guān)管T22、晶體管Q21、電阻R21、電阻R22，電源VCC連接開關(guān)管T21的集電極，開關(guān)管T21的發(fā)射極連接電阻R21的一端，電阻R21的另一端連接開關(guān)管T22的集電極和晶體管Q21的源極以及MOS管Q2的柵極，開關(guān)管T22的發(fā)射極連接MOS管Q2的漏極和電阻R22的一端，電阻R22的另一端連接晶體管Q21的漏極，第二控制電路為開關(guān)管T21、開關(guān)管T22和晶體管Q21提供控制信號。

4.一種如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，第一控制電路控制開關(guān)管T11截止，T12導(dǎo)通，此時，MOS管Q1的柵源極電壓V_GS降為0V，MOS管Q1關(guān)斷；

然后，在MOS管Q2導(dǎo)通之前，第一控制電路導(dǎo)通開關(guān)管T11和晶體管Q11，關(guān)斷開關(guān)管T12，因此，MOS管Q1的柵源極電壓V_GS上升為V1，電壓V1的值為VCC經(jīng)由電阻R11和R12分壓后的電壓值，將電阻R11和R12的電阻值設(shè)置為令電壓V1微低于閾值電壓V_th，閾值電壓V_th為MOS管Q1導(dǎo)通時柵源極電壓V_GS的值；

然后，第二控制電路在預(yù)定時間后導(dǎo)通開關(guān)管T21，使得MOS管Q2導(dǎo)通，此時，因為MOS管Q2導(dǎo)通的影響，變換器中的電流產(chǎn)生變化，導(dǎo)致MOS管Q1的柵極和源極之間的電壓V_GS產(chǎn)生變化，此時，V_GS超過了閾值電壓V_th，MOS管Q1導(dǎo)通。

5.一種如權(quán)利要求3所述的驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，第二控制電路控制開關(guān)管T21截止，T22導(dǎo)通，此時，MOS管Q2的柵源極電壓V_GS降為0V，MOS管Q2關(guān)斷；

然后，在MOS管Q1導(dǎo)通之前，第二控制電路導(dǎo)通開關(guān)管T21和晶體管Q21，關(guān)斷開關(guān)管T22，因此，MOS管Q2的柵源極電壓V_GS上升為V1，電壓V1的值為VCC經(jīng)由電阻R21和R22分壓后的電壓值，將電阻R21和R22的電阻值設(shè)置為令電壓V1微低于閾值電壓V_th，閾值電壓V_th為MOS管Q2導(dǎo)通時柵源極電壓V_GS的值；

然后，第一控制電路在預(yù)定時間后導(dǎo)通開關(guān)管T11，使得MOS管Q1導(dǎo)通，此時，因為MOS管Q1導(dǎo)通的影響，變換器中的電流產(chǎn)生變化，導(dǎo)致MOS管Q2的柵極和源極之間的電壓V_GS產(chǎn)生變化，此時，V_GS超過了閾值電壓V_th，MOS管Q2導(dǎo)通；

在MOS管Q1導(dǎo)通的同時，第二控制電路暫時性的導(dǎo)通MOS管Q2，因此MOS管Q1的續(xù)流電流不再通過MOS管Q2的體二極管，而是通過MOS管Q2本身，消除了MOS管Q2的柵極和源極之間產(chǎn)生的暫態(tài)大電壓。